[发明专利]碲铋基晶片的表面处理方法

权利要求书

1.一种碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：其包括如下步骤：

S1、化学脱脂：按照磷酸钠：碳酸钠：氢氧化钠质量比为1：2：3的比例配制化学除油液，其中碳酸钠浓度：20-40 g/L；将化学除油液置于一超声波清洗机中并加热至60~80℃，将切割后的碲铋基晶片置于化学除油液中超声波清洗2~5 min；

S2、弱蚀：组分按照氟化铵：双氧水：硝酸铵质量比为20：2：5比例配制刻蚀液，刻蚀液中氟化铵浓度为5～10 mg/L；将S1清洗后的晶片放入刻蚀液中5~20 s，取出用流动清水洗干净；

S3、酸性活化：然后将晶片放入酸性活化液中活化3~10s，取出用流动纯水洗干净；

S4、重复S2、S3过程1~2次；

S5、电解清洗：快速将晶片放入已经加热至45~60℃的弱碱性电解除油液中电解清洗，先以晶片为 阴极、不锈钢板为阳极电解1~2min，再以晶片为阳极、不锈钢板为阴极电解0.5~1min，电流密度均为2~4A/dm²，上述电解过程交替1~2次，之后快速取出水洗干净；

S6、镀镍：将各组分浓度为：NiSO₄•6H₂O 225～350 g/L；NiCl₂•6H₂O 25～75 g/L；H₃BO₃37.5～50 g/L；润湿剂NP-A，1～3 ml/L；开缸剂M-901，3～6 ml/L的电镀液置于Ni槽中，将经过S5处理后的晶片快速放入已经加热至45-60℃的电镀液中，之后快速取出水洗干净，60℃烘干，即可得表面处理好的碲铋基晶片。

2.根据权利要求1 所述的碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：所述S1中，碲铋基晶片由电火花线切割或多线切割机切割而成。

3.根据权利要求1 所述的碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：所述S2中，氟化铵、硝酸铵为工业级，双氧水为分析纯。

4.根据权利要求1 所述的碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：所述S3中活化液包括硫酸、草酸或盐酸中的一种或多种。

5.根据权利要求4 所述的碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：所述活化液由质量分数为37%的盐酸配制而成，且配制好的活化液中盐酸浓度为15～25 ml/L。

6.根据权利要求1 所述的碲铋基晶片的表面处理方法，其特征在于：所述S6中，电镀液的pH为3.6~4.0、电流密度为3.5～6.3 A/dm²，电镀时间为5~10 min。