[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，其包括器件有源区；

鳍型有源区，其在所述器件有源区上在第一方向上从所述衬底突出；

栅线，其交叉所述鳍型有源区，所述栅线重叠所述鳍型有源区的上表面和彼此相反的侧壁；

绝缘间隔物，其设置在所述栅线的侧壁上；

在所述栅线的第一侧设置在所述鳍型有源区上的第一源极/漏极区以及在所述栅线的第二侧设置在所述鳍型有源区上的第二源极/漏极区；

第一导电插塞，其连接到所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的至少一个；以及

封盖层，其设置在所述栅线上，所述封盖层平行于所述栅线延伸，

其中所述封盖层包括重叠所述栅线并且平行于所述栅线延伸的第一部分、以及重叠所述绝缘间隔物的第二部分，

其中所述第一部分和所述第二部分相对于彼此具有不同的成分，以及

其中所述第二部分接触所述第一部分和所述第一导电插塞。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述绝缘间隔物、所述第一部分和所述第二部分相对于彼此具有不同的成分。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一部分包括具有第一介电常数的第一绝缘层，所述第二部分包括所述第一绝缘层的被掺杂的部分，并且所述绝缘间隔物包括具有比所述第一介电常数更小的介电常数的第二绝缘层。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其中，当所述第一部分包括具有第一介电常数的第一绝缘层时，所述绝缘间隔物包括相比所述第一绝缘层具有更小的介电常数的第二绝缘层，且所述第二部分包括所述第二绝缘层的被掺杂的部分。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述封盖层还包括设置在所述栅线与所述第一部分之间以及在所述绝缘间隔物与所述第二部分之间的第三部分，

其中所述第三部分平行于所述栅线延伸并包括具有与所述第一部分的成分相同的成分的第三绝缘层。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一部分接触所述栅线和所述绝缘间隔物。

7.如权利要求1所述的集成电路器件，其中，在所述第一方向上，所述第一导电插塞的上表面相比所述第二部分的上表面被设置得更靠近所述衬底的所述鳍型有源区从其突出的表面。

8.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述器件有源区上的穿透所述封盖层的第二导电插塞，

其中所述第二导电插塞被连接到所述栅线，以及

其中，在所述第一方向上，所述第二导电插塞的上表面相比所述第一导电插塞的上表面被设置得更远离所述衬底的所述鳍型有源区从其突出的表面。

9.如权利要求8所述的集成电路器件，其中所述第二部分被插置在所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间。

10.如权利要求8所述的集成电路器件，还包括：

绝缘衬垫，其覆盖所述封盖层和所述第一导电插塞，所述绝缘衬垫包括朝所述衬底突出以接触所述第一导电插塞的所述上表面的袋部分，其中所述袋部分限定重叠所述第一导电插塞的袋区；以及

填充所述袋区的袋绝缘层，

其中所述绝缘衬垫和所述袋绝缘层包括相对于彼此的不同的材料。

11.一种集成电路器件，包括：

衬底，其包括器件有源区；

在所述器件有源区上在第一方向上从所述衬底突出的多个鳍型有源区，所述多个鳍型有源区在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；

设置在所述多个鳍型有源区上的多条栅线，所述多条栅线在交叉所述第二方向并垂直于所述第一方向的第三方向上延伸；

设置在所述多条栅线中的各栅线的彼此相反的侧壁上的多个绝缘间隔物；

设置在所述多个鳍型有源区上的多个源极和漏极区，其中在所述多条栅线中的各栅线的彼此相反的侧设置源极和漏极区的对；

在所述多条栅线中的两条相邻栅线之间的第一导电插塞，其连接到所述多个源极和漏极区中的至少一对；

重叠所述多条栅线的多个第一封盖层，所述多个第一封盖层平行于所述多条栅线延伸；以及

重叠所述多个绝缘间隔物中的至少一个的至少一个第二封盖层，所述至少一个第二封盖层接触所述多个第一封盖层中的至少一个以及所述第一导电插塞，以及

其中所述多个第一封盖层和所述至少一个第二封盖层具有相对于彼此的不同的成分。