[发明专利]一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法有效
| 申请号： | 201710858647.1 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107585769B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 鲍守珍;任长春;李凤琴;赵玉英;蔡延国;宗冰;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 齐海迪 |
| 地址： | 810007 青海省西*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 颗粒硅 籽晶 制备 多晶硅 挡板 喷射装置 液滴 熔融装置 球度 熔融 制备技术领域 多晶硅料 间隔设置 冷却凝固 熔融状态 物料损失 晶体硅 喷射部 加热 粉尘 | ||
1.一种制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于，包括：
挡板；
用于将固体硅料熔融的熔融装置，所述熔融装置包括具备有导流口的容纳腔；
用于将经所述导流口流出的熔融液滴喷射至所述挡板的喷射装置，所述挡板与所述喷射装置的喷射部间隔设置。
2.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述喷射装置为连接在所述导流口的喷嘴以及与所述容纳腔连通的高压气体注入装置。
3.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述喷射装置设置为靠近所述导流口的高压气体喷射装置。
4.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述挡板上设置有凸起部，所述凸起部与所述喷射装置的喷射部相对设置。
5.根据权利要求4所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述凸起部设置为半球形。
6.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述制备颗粒硅籽晶的系统包括挡板轨道装置，所述挡板与所述挡板轨道装置可滑动地连接，使所述挡板靠近或远离所述喷射装置的喷射部。
7.根据权利要求1所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述制备颗粒硅籽晶的系统还包括籽晶收集装置，所述籽晶收集装置具备有收集腔室；所述挡板、所述喷射装置以及所述导流口均设置在所述收集腔室内。
8.根据权利要求7所述的制备颗粒硅籽晶的系统，其特征在于：
所述籽晶收集装置开设有连通所述收集腔室的高纯气体置换口。
9.一种制备颗粒硅籽晶的方法，其特征在于：
所述制备颗粒硅籽晶的方法采用权利要求1至8任意一项所述的制备颗粒硅籽晶的系统；所述制备颗粒硅籽晶的方法包括，
熔融步骤：经所述熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；
分散步骤：将所述熔融多晶硅经所述喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过所述挡板分散为更小的多晶硅液滴；
冷却步骤：将所述多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。
10.根据权利要求9所述的制备颗粒硅籽晶的方法，其特征在于：
所述熔融步骤的所述熔融多晶硅的温度为1450℃至2250℃。
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