[发明专利]耦合射频识别标签及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710851964.0 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107832825A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 刘建新 申请(专利权)人: 宜兴启明星物联技术有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;G06K19/02
代理公司: 北京冠和权律师事务所11399 代理人: 朱健,陈国军
地址: 214200 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 耦合 射频 识别 标签 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及通讯技术领域,具体涉及一种耦合射频识别标签及其制作方法。

背景技术

现在RFID的柔性电子标签一般都采用Flip-Chip倒封装工艺,Flip Chip既是一种芯片互连技术,又是一种理想的芯片粘接技术.早在30年前IBM公司已研发使用了这项技术。但直到近几年来,Flip-Chip已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式。

今天,Flip-Chip封装技术的应用范围日益广泛,封装形式更趋多样化,对Flip-Chip封装技术的要求也随之提高。同时,Flip-Chip也向制造者提出了一系列新的严峻挑战,为这项复杂的技术提供封装,组装及测试的可靠支持。以往的一级封闭技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板和贴后键合,如引线健合和载带自动健全(TAB)。FC则将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互连.硅片直接以倒扣方式安装到基材上从硅片向四周引出I/O,互联的长度大大缩短,减小了RC延迟,有效地提高了电性能.显然,这种芯片互连方式能提供更高的I/O密度.倒装占有面积几乎与芯片大小一致.在所有表面安装技术中,倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。

Flip chip又称倒装片,是在I/O pad上沉积锡铅球,然后将芯片翻转佳热利用熔融的锡铅球与陶瓷机板相结合此技术替换常规打线接合,逐渐成为未来的封装主流,当前主要应用于高时脉的CPU及Chipset等产品为主。与COB相比,该封装形式的芯片结构和I/O端(锡球)方向朝下,由于I/O引出端分布于整个芯片表面,故在封装密度和处理速度上Flip chip已达到顶峰,特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工,因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。

因为RFID产品Flip-Chip封装工艺过程中,是需要将芯片与基材(天线)部分相连接,连接过程中是需要由胶水粘接固定芯片与基材之间的可靠性,目前市面上封装常使用的则是ACP(各向异性导电胶水/导电胶带)这些胶水都几乎有共同的特性,为了缩短胶水的固化时间,一般都会选择提升温度的做法来实现,举例市面上德国Delo265的胶水常用的参数为180摄氏度8秒左右,这也就意味着,跟芯片连接的基材(天线)需要耐180度左右的高温,正是因为如此,目前市面上现在的基材(天线)材料选型都会选用耐高温,加温后不易形变的材料,这也注定着材料成本的上升,材料的成本与其面积是精密关联的,而且这也会造成整个RFID标签成本的上升。

发明内容

因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的电子标签制造成本过高所带来的缺陷。

为此,提供一种耦合射频识别标签,包括:

RFID芯片;

环形天线,与所述RFID芯片电连接;

导体图案,靠近并且与所述环形天线耦合设置。

优选的,所述导体图案为直线型天线或者曲线型天线。

优选的,所述导体图案呈凹形设置,所述环形天线在竖直面上位于所述导体图案内。

优选的,所述的RFID芯片与所述环形天线之间通过导电胶连接;或者所述的RFID芯片的引脚通过电连接的方式与环形天线进行连接。

优选的,所述环形天线为圆形、长方形、以及不规则形状中的任意一种可闭环的形状。

本发明还提供了一种用于制作上述的耦合射频识别标签的方法,其特征是,包括:

将环形天线与RFID芯片电连接;

制作导体图案,并将导体图案靠近并且耦合设置于所述环形天线上。

本发明技术方案,具有如下优点:

本发明提供的耦合射频识别标签,其工作原理为:RFID芯片与环形天线进行电连接,形成射频功能的电路,在此基础之上用一个具有信号放大功能的导体图案(可以为金属天线)靠近环形天线(此时不需要用金属连接)去获得能量耦合传递给环形天线,环形天线再传递给RFID芯片;反向通讯传递数据也是如此,RFID芯片通过环形天线直接获得能量,或者导体图案传给环形天线再传给RFID芯片,讯号为RFID芯片传给环形天线,环形天线再耦合方式传给导体图案,最终导体图案发给读写器。可见,通过设置导体图案,可加强天线的射频性能,使该耦合射频识别标签在被读写器识别时,更加稳定,并且其识别距离更远。

附图说明

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