[发明专利]一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT-LCD衬底上的光刻胶层，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；

(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；

(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；

(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；

(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD制造过程中光刻胶的去除方法，其特征在于：所述先进制程控制系统实时反馈修正所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间。

3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，其特征在于：所述第一温度为100℃-160℃，所述第二温度为200℃-250℃。

4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，其特征在于：所述未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间等于未掺杂的光刻胶层的厚度与未掺杂的光刻胶层的刻蚀速率的比值。

5.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，其特征在于：所述步骤(5)中N2H2相对于O2的比例为3：2。

6.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，其特征在于：所述步骤(5)中N2H2的流量不大于1000sccm，所述O2的流量不大于1500sccm。