[发明专利]一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法在审
| 申请号： | 201710849105.8 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107731676A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/308;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 薄膜 led 芯片 切割 制备 方法 | ||
1.一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤：首先利用常规MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备出N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片，在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用常规光刻工艺在切割道以外的区域用光刻胶保护，其特征在于：将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将芯片分离，得到成品。
2.根据权利要求1所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，其特征在于：切割道腐蚀液由碘酸水溶液、盐酸和水配制而成，体积配比为：碘酸水溶液:盐酸：水=1:1:x（5<x<20），其中，碘酸水溶液的摩尔浓度为0.1~0.4mol/L，盐酸的体积浓度为37%，水为去离子水。
3.根据权利要求1或2所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，其特征在于：切割道腐蚀液对AlGaInP材料层和GaP材料层的腐蚀速率比大于5，腐蚀停止在GaP材料层中。
4.根据权利要求1或2所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，其特征在于：腐蚀温度为25±5度，腐蚀时间为1~5分钟。
5.根据权利要求3所述的AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，其特征在于：腐蚀温度为25±5度，腐蚀时间为1~5分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
