[发明专利]深置背极光伏电池组件、加工方法及光伏系统有效
| 申请号: | 201710823818.7 | 申请日: | 2017-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN107393981B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
| 发明(设计)人: | 李会欣;闫树林;王学海 | 申请(专利权)人: | 李会欣;闫树林;王学海 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;H02S40/22 |
| 代理公司: | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人: | 杨永波 |
| 地址: | 074000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 深置背 极光 电池 组件 加工 方法 系统 | ||
一种深置背极光伏电池组件、加工方法及光伏系统,光伏电池组件包括晶硅基底及设于其上、下表面的扩散层和背电极,晶硅基底下表面设有多个凹槽,背电极上表面设有多个与凹槽位置对应的凸起,多个凹槽与多个凸起插接在一起,凸起由金属电极材料制成;加工步骤为:将晶硅基底下表面加工出多个凹槽;在凹槽面刷制或喷涂金属电极材料,烧结形成多个凸起的背电极;也可以磁控溅射或高温蒸发形成插置于多个凹槽内的带多个凸起的背电极。光伏系统包括光学移相板和深置背极光伏电池组件,光学移相板设于深置背极光伏电池组件斜上方。本发明可将射进来的太阳能充分利用,光转换效率大大提高,光伏电池组件加工方法简单、实用,大大降低了加工制作成本。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种深置背极光伏电池组件、加工方法及光伏系统。
背景技术
目前人类使用的化学能源和核能源不是清洁能源,同时现有可开采能源也已不能维持人类的可持续发展,充分利用太阳能成为一种必然趋势,太阳能源清洁环保。已开发的许多技术都利用了太阳能,目前技术成熟且已用于发电的主要是硅基光伏太阳能组件(下称光伏组件),但是该光伏组件的光电转换效率太低,成本太高,成为光伏能源发展的瓶颈,多方面妨碍了光伏能源的发展。
为了增加该光伏组件的发电量,半个世纪以来人们进行了不懈的努力,进行了无数次偿试,但始终没有实质性进展,转换率总在17%-22%甚至以下。而且该光伏组件的价格很高,现在光伏电的价格在每瓦0.9元以上。提高光伏组件转换效率和降低光伏组件价格是本发明人所要解决的问题。
如图1所示,现有技术中的硅基光伏电池组件包括晶硅基底2’、设置于晶硅基底2’上表面的具有导电性的扩散层1’及设置于晶硅基底2’下表面的具有导电性的背电极3’,太阳光照射在光伏电池组件上,经扩散层1’进入晶硅基底2’后不断反射出的光能才能被利用到,而一般晶硅基底2’的厚度为200微米左右,如果阳光穿透这个厚度的晶硅基底2’会损失很大一部分光能,再不断反射出的使我们能利用的太阳光能量大大减少,这样就使进入光伏电池组件的一大部分太阳光能浪费。
因此如何保证尽量减少进入电池组件的太阳光能,使进入电池组件的太阳光能充分利用是本发明人潜心研究的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种深置背极光伏电池组件、加工方法及光伏系统,其可以将射进来的太阳能充分利用,光转换效率大大提高,而该光伏电池组件的加工方法简单、实用,大大降低了加工制作成本。
为了实现上述目的,本发明提供一种深置背极光伏电池组件,包括晶硅基底及设于晶硅基底上、下表面具有导电性的扩散层和背电极,其中所述晶硅基底下表面设有多个凹槽,所述背电极上表面设有多个与所述凹槽位置对应的凸起,多个所述凹槽与多个凸起插接固定在一起,所述凸起由金属电极材料制成。
优选地,所述背电极与所述凸起一体形成,所述背电极由金属电极材料制成。
优选地,所述金属电极材料为银粉或铝粉。
优选地,所述晶硅基底上表面与凹槽槽底的距离为8-12微米。
优选地,各所述凹槽与各对应的凸起形状对应。
优选地,所述凸起和凹槽均为柱形,所述凸起和凹槽的横截面为圆形或矩形或多边形。
优选地,所述凸起和凹槽均为水平设置的长条板状,所述凸起和凹槽上表面均为拱形。
一种所述的深置背极光伏电池组件加工方法,其包括如下步骤:
(1)将晶硅基底的下表面加工出多个凹槽;
(2)在步骤(1)得到的晶硅基底的多个凹槽面刷制或喷涂金属电极材料,并通过烧结形成有多个凸起的背电极,或通过磁控溅射或高温蒸发形成插置于多个所述凹槽内的有多个凸起的背电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李会欣;闫树林;王学海,未经李会欣;闫树林;王学海许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710823818.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





