[发明专利]表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法有效

专利信息
申请号: 201710811288.4 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN107703430B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 郑雪峰;王士辉;吉鹏;董帅帅;王颖哲;马晓华;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 表面 陷阱 器件 输出 特性 影响 测量方法
【权利要求书】:

1.一种表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法,步骤如下:

(1)制作测试器件并连接测试电路:

(1a)在被测器件的源极和漏极之间再新制作一个栅极,形成双栅结构,两个栅极分别记为G1和G2

(1b)将第一电流表A1一端连接第一栅极G1,另一端接地;第二栅极G2依次连接第二电流表A2、脉冲电压源E1、第一开关S1,第一开关S1的另一端接地;源极接地,漏极依次连接第二开关S2、第三电流表A3、直流电源E2,直流电源E2的另一端接地;

脉冲电压源E1提供高电平为VH、低电平为VL、频率为f、占空比为D的脉冲电压;

(2)填充器件表面态陷阱:

(2a)在0-t0时间内,闭合第二开关S2,打开第一开关S1,监测第三电流表A3的示数,记为I0

(2b)在t0时刻,闭合第一开关S1,同时打开第二开关S2,对被测器件施加P个周期的脉冲电压,并监测通过第一电流表A1示数IG1(t)和第二电流表A2的示数IG2(t),对器件施加脉冲电压过程中,通过栅极电子对器件的表面态陷阱进行填充;

(2c)根据(2b)的结果,分别计算脉冲电压为高电平时器件表面态陷阱俘获电子形成的电流I1(t)和脉冲电压为低电平时器件表面态陷阱释放电子形成电流I2(t),即:

I1(t)=IG1(t)-|IG2(t)|,规定I1(t)的电流方向为正;

I2(t)=IG1(t)+IG2(t),规定I2(t)的电流方向为负;

(2d)根据电荷量和电流的关系,计算第1个和第P个脉冲周期内,被测器件表面态陷阱实际俘获的电子数量分别为:

其中P为正整数,P的取值范围大于等于2,e为电子电量,e=1×10-19库伦;

(2e)根据(2d)的计算结果,判定表面态陷阱俘获\释放电子是否达到动态平衡:

若则判定表面态陷阱俘获\释放电子达到动态平衡,表面态陷阱填充完毕,停止施加脉冲电压,记录此时的时刻为t1;反之,未达到动态平衡,则重复步骤(2b)到(2f),再对被测器件施加一个周期的脉冲电压,直至符合表面态陷阱俘获\释放电子达到动态平衡条件;

(3)计算表面态陷阱对器件输出特性影响:

在t1时刻,即器件表面态陷阱填充完毕时,打开开关S1的同时,闭合开关S2,并监测第三电流表A3示数I(t),根据相对变化量的计算方式,得到器件表面态陷阱引起器件输出电流的相对变化量为:

其中,ΔI(t)=I0-I(t),表示器件表面态陷阱引起器件输出电流的变化量。

2.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(1a)中的重新制作的栅极的金属材料和制作工艺与器件的原有栅极相同。

3.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(1a)中的新栅极的制作,可在器件制作过程中,直接利用相同的工艺和材料做成双栅结构器件。

4.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(1b)中对被测图形施加的脉冲电压低电平VL为0V,脉冲高电压为VH的取值应与被测器件正常工作电压一致。

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