[发明专利]一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器

权利要求书

1.一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，包括基座以及基座形成的波导腔，其特征在于，所述波导腔中设有多个叠加的卡，所述卡包括天线电路板以及设置于天线电路板上的至少一个放大器芯片，所述天线电路板上设有至少一个天线，每个放大器芯片的输入端和输出端分别与一天线的输入端和输出端连接，形成一放大通道，且每个放大通道设于波导腔内设的一第一隔离腔室内，所述第一隔离腔室的形状与天线电路板上的所述放大通道的轮廓形状相匹配，所述天线电路板的正面设有至少一个刀形电路，且所述刀形电路的刀背位置从波导壁处开始延伸，所述刀形电路的两末端分别为所述天线电路板的输入端和输出端。

2.根据权利要求1所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，所述多个叠加的卡中，每两个卡组成一个叠加单元，多个叠加单元平行放置，每个叠加单元的两个卡之间设有一金属隔板。

3.根据权利要求2所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，所述金属隔板的正面和背面均设有至少一个第二隔离腔室，每个所述第二隔离腔室用于容纳一放大通道，叠加单元的两个卡面对面放置在金属隔板的两端。

4.根据权利要求1所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，卡的正面设有所述天线电路板，所述卡的背面设有至少一个第二隔离腔室，每个所述第二隔离腔室用于容纳一放大通道，所述多个卡平行放置。

5.根据权利要求3或4所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，所述第二隔离腔室还具有供天线的输入端和输出端伸出的通道。

6.根据权利要求2所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，所述天线电路板上设有一对相位相差180度的天线，每个天线的输入和输出端与一个放大器芯片的输入和输出端相连接。

7.根据权利要求1所述的一种高隔离度大规模阵列合成功率放大器，其特征在于，所述天线电路板的背面设有至少一个钢笔尖电路，所述钢笔尖电路的尖端位于天线电路板的中间，且逐步向波导腔的波导壁展宽，钢笔尖电路将波导腔内的电场分割为大小一致、方向相同的两个场。