[发明专利]一种碳化硅功率器件终端及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件终端制作方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供N⁺-SiC衬底，在所述N⁺-SiC衬底上形成N^--SiC外延层；

步骤二、在所述N^--SiC外延层内部制备P型主结、P型场限环、P-i-N结构以及N型截止环；其中，

所述P型主结和所述P型场限环的内部刻蚀有浅凹槽，在所述浅凹槽的内部填充有介质层；

所述P-i-N结构位于所述P型主结与相邻P型场限环之间以及各个所述相邻P型场限环之间的N^--SiC外延层内，所述P-i-N结构包括沿平行于所述终端表面且平行于所述P型主结的方向分布的P型掺杂区和N型掺杂区；

步骤三、在所述N^--SiC外延层表面上淀积覆盖所述终端表面的钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过CVD方法在所述N⁺-SiC衬底正面形成所述N^--SiC层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P-i-N结构中的所述P型掺杂区和N型掺杂区之间为由所述N^--SiC外延层形成的轻掺杂区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二还包括：通过Al离子注入形成所述P型主结、所述P型场限环和所述P-i-N结构的P型掺杂区的注入区，通过N离子注入形成所述P-i-N结构的N型掺杂区的注入区和所述N型截止环。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤二还包括：在惰性气体氛围中，进行所述Al离子注入和所述N离子注入后的激活退火，获得所述P型主结、P型场限环以及所述P-i-N结构的P型掺杂区和N型掺杂区。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型掺杂区和N型掺杂区的深度可以小于、等于、或者大于所述P型主结和P型场限环的深度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P-i-N结构中的N型掺杂区的掺杂浓度高于所述N^--SiC外延层的掺杂浓度，所述P型掺杂区的浓度高于或低于所述P型场限环的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅凹槽的深度和宽度均小于所述P型主结和所述P型场限环的深度和宽度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述浅凹槽内部通过热氧化和/或PECVD淀积SiO₂和/或Si₃N₄。

10.一种根据权利要求1所述的方法制作的碳化硅功率器件终端，其特征在于，包括：

N⁺-SiC衬底；

所述N⁺-SiC衬底上的N^--SiC外延层，所述N^--SiC外延层内具有P型主结、P型场限环、P-i-N结构以及N型截止环；其中，所述P型主结和所述P型场限环的内部刻蚀有浅凹槽，所述浅凹槽内部填充有介质层，所述P-i-N结构位于所述P型主结与相邻P型场限环之间以及各个所述相邻P型场限环之间，所述P-i-N结构包括沿平行于所述终端表面且平行于所述P型主结的方向分布的P型掺杂区和N型掺杂区；

位于所述N^--SiC外延层上且覆盖所述终端表面的钝化层。