[发明专利]一种降低编程干扰的控制方法及装置在审
| 申请号： | 201710772577.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507646A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 编程 干扰 控制 方法 装置 | ||
1.一种降低编程干扰的控制方法，其特征在于，应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅、底栅和存储层，该控制方法包括：
在预充电阶段，在所述存储器件的漏极和顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极和底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。
2.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，还包括：
在沟道打开阶段，通过字线对所述存储器件通入第三预设电压；
在编程阶段，对选中的存储单元通第四预设电压，对未选中的存储单元通入所述第三预设电压。
3.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压相同。
4.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，
在预充电阶段，在所述存储器件的漏极以及顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极、底栅以及衬底上均加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。
5.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压的差值为第一差值，所述第一差值不等于零。
6.一种降低编程干扰的控制装置，其特征在于，包括：
第一控制模块，用于在预充电阶段，在所述存储器件的漏极或顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极或底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。
7.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制装置，其特征在于，还包括：
第二控制模块，用于在沟道打开阶段，通过字线对所述存储器件通入第三预设电压；
第三控制模块，用于在编程阶段，对选中的存储单元通第四预设电压，对未选中的存储单元通入所述第三预设电压。
8.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制装置，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压相同。
9.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制装置，其特征在于，所述第一控制模块还用于：
在预充电阶段，在所述存储器件的漏极以及顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极、底栅以及衬底上均加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。
10.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制装置，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压的差值为第一差值，所述第一差值不等于零。
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