[发明专利]非易失性存储器的读操作方法、装置及相关设备

权利要求书

1.一种非易失性存储器的读操作方法，其特征在于，所述非易失性存储器的每个存储单元管至少存储两比特的数据；所述非易失性存储器，包括：空白标志位和最高有效位标志位；所述空白标志位，用于指示每个页的存储单元管是否存储有数据；所述最高有效位志位，用于指示每个页的存储单元管是否存储有最高位数据；所述方法，包括：

对字线进行预充，在字线上施加读通过电压；

依次执行至少两次数据感测操作，第一次所述数据感测操作，用于对所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态进行识别；第n次所述数据感测操作时根据所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态确定本次数据感测操作对应的读电压；n为大于1的整数；

每次所述数据感测操作，具体包括：

在选中的字线上施加本次数据感测操作对应的读电压；

经位线对所述选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测；

其中，每次所述数据感测操作对应的读电压不同。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读操作方法，其特征在于，所述对字线进行预充，之前还包括：

获取读配置，所述读配置携带所述数据感测操作的次数N以及每次数据感测操作对应的读电压；

所述依次执行至少两次数据感测操作，具体包括：

在所述选中的字线上施加所述读配置携带的第i个读电压；

经位线对所述选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测；

更新i后，返回所述在所述选中的字线上施加所述读配置携带的第i个读电压，直到所述读配置携带的读电压均被施加在所述选中的字线上；

其中，i∈{1,2,…,N}。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的读操作方法，其特征在于，所述读配置还携带读操作类型，所述读操作类型包括第一读操作类型和第二读操作类型；

所述对字线进行预充，之前还包括：

识别所述读配置携带的读操作类型；

当所述读配置携带的读操作类型为所述第一读操作类型时，执行所述对字线进行预充。

4.根据权利要求2或3所述的非易失性存储器的读操作方法，其特征在于，所述在所述选中的字线上施加第i个读电压，之后还包括：

在第j+1条字线和第j-1条字线上施加防耦合电压；

其中，所述防耦合电压大于所述读通过电压，所述选中的字线为第j条字线。

5.一种非易失性存储器的读操作装置，其特征在于，所述非易失性存储器的每个存储单元管至少存储两比特的数据；所述非易失性存储器，包括：空白标志位和最高有效位标志位；所述空白标志位，用于指示每个页的存储单元管是否存储有数据；所述最高有效位志位，用于指示每个页的存储单元管是否存储有最高位数据；所述装置，包括：字线控制模块、读操作控制模块和位线控制模块；

所述字线控制模块，用于对字线进行预充，在字线上施加读通过电压；还用于在选中的字线上施加读电压；

所述读操作控制模块，用于依次执行至少两次数据感测操作；第一次所述数据感测操作，用于对所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态进行识别；第n次所述数据感测操作时根据所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态确定本次数据感测操作对应的读电压；n为大于1的整数；

所述位线控制模块，用于经位线对所述选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测；

每次所述数据感测操作，所述读操作控制模块具体用于：

控制所述字线控制模块在选中的字线上施加本次数据感测操作对应的读电压；

控制所述位线控制模块经位线对所述选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测；

其中，每次所述数据感测操作对应的读电压不同。