[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710755921.2 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107863430B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 竹中靖博;斋藤义树;松井慎一;篠田大辅;程田高史;篠原裕直 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造发光元件的方法，包括：
形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN的n型半导体层，其中0.65≤x≤1；
形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层接触所述n型半导体层；
通过热处理形成所述n型半导体层与所述Ti层的欧姆接触；以及
在所述n侧接触电极周围形成DBR(分布式布拉格反射体)膜，
其中所述发光元件被配置成发射具有小于280nm波长的光，以及
其中所述Ru层和所述DBR膜被配置成将所述光反射至所述发光元件的基底侧。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述Ti层的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述Ti层通过使用RF电源溅射而形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述Ru层通过在不大于0.4Pa的气压下溅射而形成。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述Ti层通过使用RF电源溅射而形成。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述Ru层通过在不大于0.4Pa的气压下的溅射形成。
7.根据权利要求3所述的方法，其中所述Ru层通过在不大于0.4Pa的气压下溅射而形成。
8.一种发光元件，包括：
包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN的n型半导体层，其中0.65≤x≤1；
包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层欧姆接触所述n型半导体层；以及
在所述n侧接触电极周围形成的DBR(分布式布拉格反射体)膜，
其中所述发光元件被配置成发射具有小于280nm波长的光，以及
其中所述Ru层和所述DBR膜被配置成将所述光反射至所述发光元件的基底侧。
9.根据权利要求8所述的发光元件，其中所述Ti层的厚度不小于0.5nm且不大于2.5nm。
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