[发明专利]偏振器及其制造方法和具有其的显示设备有效

专利信息
申请号: 201710754331.8 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107797172B 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 金泰佑;南重建;李相旭;赵国来 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/1335
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 偏振 及其 制造 方法 具有 显示 设备
【说明书】:

公开了偏振器及其制造方法和具有其的显示设备。所述偏振器包括:基体基底;线栅层,具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起,在所述多个凸起之间设置有多个气隙;第一层,设置在线栅层上,第一层包括氧化硅;以及第二层,设置在第一层上,第二层包括氮化硅。还公开了包含偏振器的显示设备及其制造方法。

技术领域

发明总体上涉及一种偏振器、一种制造该偏振器的方法以及一种具有该偏振器的显示器,更具体地,示例性实施例涉及一种可以包含在显示器中的偏振器、一种制造该偏振器的方法以及一种具有该偏振器的显示器。

背景技术

近来,已经制造了具有重量轻和小尺寸的显示器。阴极射线管(CRT)显示器由于性能和有竞争力的价格而已经被使用。然而,CRT显示器受限于尺寸或便携性。因此,诸如等离子体显示器、液晶显示器和有机发光显示器的显示器因其小尺寸、重量轻和低功耗而已经受到高度重视。

根据光学需求,显示器可以包括偏振器。通常,已经在显示器中使用了薄膜型偏振器。最近,已经在显示器中使用了提供改善的光效率和简化的制造工艺的线栅偏振器。

用于制造具有覆盖层的线栅偏振器的工艺中的高温会损坏显示器的结构。当不使用高温时,排气(outgassing)造成活性未填充区域(“AUA”)的缺陷。另外,在线栅偏振器上存在覆盖层降低了显示器的透射率。

在该背景技术部分公开的上述信息仅用于促进对发明构思的背景的理解,因此,它可包含不形成对本领域普通技术人员来讲在该国已经知晓的现有技术的信息。

发明内容

根据发明的原理构造的偏振器能够改善光学性能并解决排气问题,并且可以包括在显示器中。

制造根据发明的原理的偏振器的方法可以在相对低温的工艺下执行。

另外的方面将在随后的详细描述中进行阐述,并且部分地,通过公开将是明显的,或者可以通过发明构思的实践而被获知。

根据发明的一个方面,一种偏振器包括:基体基底;线栅层,具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起,在所述多个凸起之间设置有多个气隙;第一层,设置在线栅层上,第一层包括氧化硅;以及第二层,与线栅层背对地设置在第一层上,第二层包括氮化硅。第一层和第二层可以是覆盖层。

位于线栅层的所述多个凸起之间的所述多个气隙中的至少一个气隙可以包括与所述多个凸起中的至少一个凸起邻近的氧化硅材料。

第二层可以包括具有约至约的厚度的覆盖层。这样的厚度可以限制会引起活性未填充区域的缺陷的排气的发生。

第一层可以包括具有约或更大的厚度的覆盖层。

除了第一层和第二层之外,第一中间层还可以包括在第一层和第二层之间。第一中间层可以包括氮氧化硅。

第二中间层可以位于第二层上。第二中间层可以包括氮氧化硅。

根据发明的另一方面,一种偏振器具有:基体基底;线栅层,具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起,在所述多个凸起之间设置有多个气隙;以及第一层,具有厚度并设置在线栅层上,第一层包括氧化硅和氮化硅。氧化硅与氮化硅的比率可以根据在第一层的厚度中的深度而变化。第一层可以是覆盖层。

第一层可以包括下层、上层和中间层,下层具有氧化硅的第一量和氮化硅的第一量,上层位于下层的与线栅层相对的一侧上,具有氧化硅的第二量和氮化硅的第二量,中间层位于上层与下层之间,具有比氧化硅的第一量和氧化硅的第二量低的氧化硅的第三量以及比氮化硅的第一量和氮化硅的第二量高的氮化硅的第三量。

根据发明的另一方面,一种制造偏振器的方法包括下述步骤:在基底上形成具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起的线栅层;在线栅层上形成包括氧化硅的第一层;在线栅层的多个凸起中的至少两个凸起之间形成气隙;加热第一层,使得第一层部分地在至少两个凸起之间流动以围绕气隙;并且在第一层上形成包括氮化硅的第二层。

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