[发明专利]偏振器及其制造方法和具有其的显示设备

权利要求书

1.一种偏振器，所述偏振器包括：

基体基底；

线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；

第一层，直接设置在所述线栅层上并且所述线栅层位于所述第一层和所述基体基底之间，所述第一层包括氧化硅；以及

第二层，设置在所述第一层上，所述第二层包括氮化硅。

2.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述多个气隙中的至少一个包括与所述多个凸起中的至少一个邻近的氧化硅材料。

3.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述第二层包括具有至的厚度的覆盖层。

4.如权利要求1所述的偏振器，其中，所述第一层包括具有或更大的厚度的覆盖层。

5.如权利要求1所述的偏振器，所述偏振器还包括：

第一中间层，位于所述第一层与所述第二层之间，所述第一中间层包括氮氧化硅。

6.如权利要求5所述的偏振器，所述偏振器还包括：

第二中间层，位于所述第二层上，所述第二中间层包括氮氧化硅。

7.一种偏振器，所述偏振器包括：

基体基底；

线栅层，具有形成基本上均匀的线栅的多个凸起，在所述多个凸起之间设置有多个气隙；以及

第一层，具有厚度并直接设置在所述线栅上，并且所述线栅层位于所述第一层和所述基体基底之间，所述第一层包括氧化硅和氮化硅，其中，氧化硅与氮化硅的比率根据在所述第一层的厚度中的深度而变化。

8.如权利要求7所述的偏振器，所述第一层还包括覆盖层，所述覆盖层具有：

下层，包括氧化硅的第一量和氮化硅的第一量；

上层，位于所述下层的与所述线栅层背对的一侧上，所述上层包括氧化硅的第二量和氮化硅的第二量；以及

中间层，位于所述上层与所述下层之间，所述中间层包括比所述氧化硅的第一量和所述氧化硅的第二量低的氧化硅的第三量以及比所述氮化硅的第一量和所述氮化硅的第二量高的氮化硅的第三量。

9.一种制造偏振器的方法，所述方法包括下述步骤：

在基底上形成线栅层，所述线栅层具有多个凸起，所述多个凸起形成基本上均匀的线栅；

在所述线栅层上直接形成包括氧化硅的第一层，并且所述线栅层位于所述第一层和所述基底之间；

在所述线栅层的所述多个凸起中的至少两个凸起之间形成气隙；

加热所述第一层，使得所述第一层部分地在所述至少两个凸起之间流动以围绕所述气隙；以及

在所述第一层上形成包括氮化硅的第二层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在230℃或更低的温度下形成所述第一层和所述第二层。

11.如权利要求9所述的方法，其中，将所述第二层形成为具有至的厚度的覆盖层，以及

将所述第一层形成为具有或更大的厚度的覆盖层。

12.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

在形成所述第二层之前，在所述第一层上形成包括氮氧化硅的第一中间层。

13.如权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

在所述第二层上形成包括氮氧化硅的第二中间层。