[发明专利]一种MOSFET芯片的版图结构及MOSFET芯片在审
| 申请号： | 201710753747.8 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107658293A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 俞峥;陈敏;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 版图 结构 | ||
1.一种MOSFET芯片的版图结构，应用于一MOSFET芯片；所述MOSFET芯片包括终端区，第一数量的隔离环组以及所述第一数量的有源区，每个所述有源区包括栅极金属；
每个所述隔离环组分别围绕对应的所述有源区设置，用于将对应的所述有源区与所述终端区相隔离；每个所述隔离环组包括内外间隔围绕的第二数量的隔离环；
其特征在于，所述版图结构包括：
一焊盘，设置于所述终端区；
第一连线，横跨每个所述有源区，并将每个所述有源区的所述栅极金属并联；
所述第一连线还与所述焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述隔离环组中的每个所述隔离环均为矩形，且所述矩形的每个角均为倒角。
3.根据权利要求2所述的版图结构，其特征在于，所述第一数量为2个。
4.根据权利要求3所述的版图结构，其特征在于，所述焊盘设置于所述终端区中，且位于2个所述隔离环组中最外围的所述隔离环的所述倒角与所述MOSFET芯片的边缘围成的区域内。
5.根据权利要求2所述的版图结构，其特征在于，所述第一连线布设于所述有源区的对称轴上。
6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个所述隔离环均为矩形，且所述矩形的每个角均为圆角。
7.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第一连线通过设置在所述终端区的边缘的第二连线连接所述焊盘。
8.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第二数量为2个。
9.一种MOSFET芯片，其特征在于，应用如权利要求1～8任一所述的版图结构。
10.根据权利要求9所述的MOSFET芯片，其特征在于，所述MOSFET芯片包括沟槽式的MOSFET器件结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
