[发明专利]一种热释电红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710747273.6 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107546319B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 罗文博;孙杰西;吴传贵;帅垚;王韬;张开盛 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L37/02 分类号: H01L37/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 热释电 红外探测器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种热释电红外探测器,包括带凹槽透光衬底、热释电层和光敏键合层,其特征在于:

热释电层为单晶或陶瓷热释电敏感元,带有上电极和下电极,上电极使用双电容结构,下电极设置于带凹槽透光衬底的凹槽上方,并与其相适应使下电极完全悬空,形成一个带空气隙的自支撑结构;

键合层在热释电层与带凹槽透光衬底的中间,热释电层与带凹槽透光衬底使用常温、常压键合的方式集成。

2.如权利要求1所述热释电红外探测器,其特征在于:所述上电极为双电容结构的单晶或陶瓷热释电敏感元电极,以阵列的形式排布。

3.如权利要求1所述热释电红外探测器,其特征在于:所述上电极构成的像元之间设有一个凹槽,形成一个内部的绝热结构。

4.如权利要求1所述热释电红外探测器的制备方法,包括以下步骤:

步骤1、在透光衬底的一面制作出凹槽,形成带凹槽透光衬底;

步骤2、在带凹槽透光衬底上生成键合层;

步骤3、在热释电敏感元上下表面制作双电容结构的上电极与下电极;

步骤4、通过键合层将热释电层与带凹槽透光衬底进行常温、常压的键合,下电极键合后处于带凹槽透光衬底的凹槽正上方,使其悬空形成带空气隙的自支撑结构;

步骤5、将步骤4键合后的晶片制作成需要的热释电探测器。

5.如权利要求4所述热释电红外探测器的制备方法,其特征在于:

所述步骤3和4之间还包括一步:在热释电材料晶片的双电容结构上电极构成的像元之间制作出凹槽。

6.如权利要求4所述热释电红外探测器的制备方法,其特征在于:所述常温、常压键合的方式为UV胶键合。

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