[发明专利]自取向液晶显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

制备表面具有有机绝缘膜的TFT基板(10)，并对所述TFT基板(10)进行清洗；

采用空气等离子体对所述TFT基板(10)进行处理，或者对所述TFT基板(10)进行紫外光照射，又或者采用弱酸或弱碱对所述TFT基板(10)进行处理，使所述有机绝缘膜表面产生-OH和-COOH；

提供自取向液晶材料(30)与CF基板(20)，所述自取向液晶材料(30)包括辅助配向剂(31)与液晶(32)；所述有机绝缘膜表面产生的-OH和-COOH使辅助配向剂(31)与有机绝缘膜之间形成氢键；

将所述自取向液晶材料(30)滴加到TFT基板(10)或者CF基板(20)表面，对所述TFT基板(10)与CF基板(20)进行成盒工艺，制得自取向液晶显示面板；

所述TFT基板(10)包括玻璃基板(11)、设于所述玻璃基板(11)上的栅极(12)与扫描线(13)、设于所述玻璃基板(11)上覆盖栅极(12)与扫描线(13)的栅极绝缘层(14)、设于栅极绝缘层(14)上的有源层(15)、设于所述有源层(15)与栅极绝缘层(14)上的源/漏极(16)、设于所述栅极绝缘层(14)上的数据线(17)、设于所述栅极绝缘层(14)上覆盖源/漏极(16)与数据线(17)的钝化层(18)、及设于所述钝化层(18)上的图案化的像素电极(19)；所述像素电极(19)经由钝化层过孔(181)与源/漏极(16)接触；所述钝化层(18)为有机绝缘膜。

2.如权利要求1所述的自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述有机绝缘膜的材料包括亚克力树脂与硅氧树脂中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，对所述TFT基板(10)进行紫外光照射的波长为150nm～400nm，照射时间为1分钟～20分钟。

4.如权利要求1所述的自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述弱酸为PH值在4～6之间的弱酸溶液，所述弱酸溶液包括稀盐酸、乙酸、甲酸、苯甲酸、过氧化氢、草酸、及稀硫酸中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述弱碱为PH值在8～10之间的弱碱性溶液，所述弱碱性溶液中的碱性物质包括氨、苯胺、二甲胺、甲胺、及吡啶中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的自取向液晶显示面板的制作方法，其特征在于，采用弱酸或弱碱对所述TFT基板(10)进行处理的工艺包括：将弱酸或弱碱加热到50℃～80℃后，对TFT基板(10)进行洗涤，洗涤时间为1分钟～20分钟。

7.一种自取向液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的TFT基板(10)与CF基板(20)及设于所述TFT基板(10)与CF基板(20)之间的自取向液晶材料(30)；其中，所述自取向液晶材料(30)包括辅助配向剂(31)与液晶(32)；所述TFT基板(10)表面具有有机绝缘膜，所述有机绝缘膜表面具有-OH和-COOH，使辅助配向剂(31)与有机绝缘膜之间形成氢键；

所述TFT基板(10)包括玻璃基板(11)、设于所述玻璃基板(11)上的栅极(12)与扫描线(13)、设于所述玻璃基板(11)上覆盖栅极(12)与扫描线(13)的栅极绝缘层(14)、设于栅极绝缘层(14)上的有源层(15)、设于所述有源层(15)与栅极绝缘层(14)上的源/漏极(16)、设于所述栅极绝缘层(14)上的数据线(17)、设于所述栅极绝缘层(14)上覆盖源/漏极(16)与数据线(17)的钝化层(18)、及设于所述钝化层(18)上的图案化的像素电极(19)；所述像素电极(19)经由钝化层过孔(181)与源/漏极(16)接触；所述钝化层(18)为有机绝缘膜。

8.如权利要求7所述的自取向液晶显示面板，其特征在于，所述有机绝缘膜的材料包括亚克力树脂与硅氧树脂中的一种或多种。