[发明专利]低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器及操作方法

权利要求书

1.一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，包括：

一半导体基板；

至少一晶体管结构，所述晶体管结构形成于所述半导体基板上，所述晶体管结构包括有一第一介电层位于所述半导体基板表面，一第一导电闸极位于所述第一介电层上，二未掺杂区位于所述第一导电闸极的两侧下方的所述半导体基板内，以及至少二第一离子掺杂区位于所述第一导电闸极的所述两侧下方的所述半导体基板内且与所述未掺杂区隔开，分别作为源极和汲极；以及

一电容结构，所述电容结构位于所述半导体基板表面且与至少一晶体管相隔离，所述电容结构包括一第二离子掺杂区位于所述半导体基板内，一第二介电层位于所述第二离子掺杂区表面，以及一第二导电闸极叠设于所述第二介电层上，所述第二导电闸极电性连接所述第一导电闸极，以作为单浮接闸极；

其中，所述晶体管结构为N型晶体管时，所述第一离子掺杂区及所述第二离子掺杂区为N型掺杂区，所述半导体基板为P型半导体基板或是具有P型井的半导体基板；以及所述晶体管结构为P型晶体管时，所述第一离子掺杂区及所述第二离子掺杂区为P型掺杂区，且所述半导体基板为N型半导体基板或是具有N型井的半导体基板。

2.根据权利要求1所述一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，还包括：所述电容结构包括一轻掺杂汲极位于所述第二导电闸极的一侧下方邻近所述第二离子掺杂区的所述半导体基板内。

3.根据权利要求1所述一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，还包括：所述晶体管结构的所述第一介电层与所述第一导电闸极的两侧壁设有两间隔物，所述未掺杂区位于所述间隔物下方的所述半导体基板内。

4.根据权利要求3所述一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，还包括：所述第一离子掺杂区在所述间隔物形成之前，用光罩遮蔽所述未掺杂区的方式，先进行一轻离子掺杂，再用所述间隔物为屏蔽，植入同型离子用于进行一重离子掺杂，用于增加所述第一离子掺杂区的浓度。

5.根据权利要求1所述一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，还包括：所述晶体管结构为金属氧化半场效晶体管。

6.一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器的操作方法，其特征在于，所述电子写入抹除式可复写只读存储器设有一半导体基板，所述半导体基板上设有至少一N型晶体管结构与一电容结构，所述N型晶体管结构设有一第一导电闸极、二未掺杂区以及至少二第一离子掺杂区，所述未掺杂区位于所述第一导电闸极的两侧下方的所述半导体基板内，所述第一离子掺杂区位于所述第一导电闸极的所述两侧下方的所述半导体基板内且与所述未掺杂区隔开，分别作为源极和汲极，所述电容结构设有一第二离子掺杂区、一第二介电层与一第二导电闸极，所述第二离子掺杂区位于所述半导体基板内，所述第二介电层位于所述第二离子掺杂区表面，所述第二导电闸极设于所述第二介电层上，所述第二导电闸极电性连接所述第一导电闸极，作为单浮接闸极，所述操作方法系包括：

在所述第一导电闸极或所述单浮接闸极、所述源极、所述汲极及所述半导体基板分别施加一闸极电压Vg、源极电压Vs、汲极电压Vd及基板电压Vsub，并满足下列条件：

写入时，满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝0或大于0V，且Vg＝高压(HV)，或满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝高压，且Vg大于2V；以及

在抹除时，满足Vsub＝接地，Vs＝Vd＝高压，且Vg＝0或浮接或小于2V；

其中，所述第一离子掺杂区及所述第二离子掺杂区为N型掺杂区，所述半导体基板为P型半导体基板或是具有P型井的半导体基板。

7.根据权利要求6所述一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器的操作方法，其特征在于，所述电容结构还包括一轻掺杂汲极(LDD)，所述轻掺杂汲极位于所述第二导电闸极的一侧下方邻近所述第二离子掺杂区的所述半导体基板内。