[发明专利]金属-陶瓷复合衬底的制造方法及其制造的复合衬底有效
| 申请号： | 201710736581.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107546132B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 钱建波;孙林;袁超;于岩;王顾峰;聂朝轩;王太保;黄世东;胡士刚 | 申请（专利权）人： | 浙江德汇电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15;H01L23/492 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 陶瓷 复合 衬底 制造 方法 及其 | ||
1.一种金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在陶瓷基板的表面形成第一钎焊料层，所述第一钎焊料层包括铜、银和活性金属氢化物钎焊料层；
在所述第一钎焊料层的远离所述陶瓷基板的表面形成第二钎焊料层，所述第二钎焊料层包含铜和银钎焊料层；
在所述第二钎焊料层的远离所述第一钎焊料层的表面形成铜层，以形成金属-陶瓷复合衬底前体，所述铜层为铜箔或铜合金；
真空烧结所述金属-陶瓷复合衬底前体；
所述金属-陶瓷复合衬底前体经过所述真空烧结后进行曝光显影、蚀刻；
所述曝光显影和所述蚀刻的方法是在所述铜层的远离所述第二钎焊料层的表面形成光刻胶层，在所述光刻胶层的远离所述铜层的表面形成第一图案化掩膜层，经曝光机曝光后通过显影溶液显影，对显影部分通过第一蚀刻液进行第一步蚀刻形成第二图案化掩膜层，对所述第二图案化掩膜层通过第二蚀刻液进行第二步蚀刻；
所述第一蚀刻液为CuCl2溶液或FeCl3溶液，所述第二蚀刻液为双氧水和氨水中加入了乙二胺四乙酸络合物的蚀刻液。
2.根据权利要求1所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，所述活性金属为钛。
3.根据权利要求1所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，所述第一钎焊料层的形成方法是将粘度为100mPa•s -300mPa•s的第一铜浆涂覆于所述陶瓷基板的表面并在90℃-110℃条件下干燥5min-15min。
4.根据权利要求1所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，所述第二钎焊料层的形成方法是将粘度为50mPa•s-100mPa•s的第二铜浆涂覆于所述第一钎焊料层的远离所述陶瓷基板的表面并在90℃-110℃条件下干燥5min-15min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，所述真空烧结是在温度为700℃-1000℃条件下烧结10min-60min。
6.根据权利要求1-4任一项所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法，其特征在于，所述显影溶液为Na2CO3溶液。
7.一种金属-陶瓷复合衬底，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的金属-陶瓷复合衬底的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
