[发明专利]一种顶层选择栅切线的刻蚀工艺方法

权利要求书

1.一种顶层选择栅切线的刻蚀工艺方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

形成多层堆叠结构，具体为，提供衬底并在所述衬底表面形成多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；

为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行光刻；

为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行刻蚀以形成顶层选择栅切线(TopSelect Gate Cut)沟道；

对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行氧化物填充；

对多余的顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道填充氧化物的去除；

形成堆叠结构的台阶结构。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述层间介质层材料为氧化硅，所述牺牲介质层材料为氮化硅，从而形成ON堆叠结构(ON Stacks)。

3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述光刻具体为，首先在堆叠结构表面上形成复合硬掩模层；然后在需要形成选择栅切线(Top Select Gate Cut)的位置实施光刻以去除相应位置的光刻胶层形成光刻沟道。

4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：

所述复合硬掩模层包括依次形成的无定形碳层(A-C)、SiON层和光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述刻蚀停留在堆叠结构的某一层间介质层。

6.根据权利要求5所述的工艺方法，其特征在于：

所述刻蚀停留在堆叠结构从顶端开始的第2、第3或第4层间介质层。

7.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行氧化物填充采用的是原子层沉积工艺(ALD)。

8.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

对多余的顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道填充氧化物的去除，采用的是化学机械研磨工艺(CMP)。