[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的阵列存储区；

所述阵列存储区包括在所述基板上交替形成氮化硅层和二氧化硅层的多层堆叠结构；

利用湿法刻蚀工艺去除所述多层堆叠结构中的氮化硅层；

在所述去除所述多层堆叠结构中的氮化硅层的步骤中，在多层堆叠结构的二氧化硅层的表面形成有逆生长的二氧化硅薄膜，所述逆生长的二氧化硅薄膜与二氧化硅层的致密度不同；

采用回刻蚀工艺将所述逆生长的二氧化硅薄膜去除，以露出原多层堆叠结构中的二氧化硅层的表面；

在被去除的氮化硅层留下的空位处沉积形成金属栅结构。

2.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：

所述湿法刻蚀工艺选择的刻蚀溶液为磷酸溶液，所述磷酸溶液具有高刻蚀选择比，其对氮化硅的蚀刻速率很高，而对二氧化硅的蚀刻速率几近为零。

3.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：

所述逆生长的二氧化硅薄膜附着在所述多层堆叠结构的二氧化硅层的至少上、下表面以及侧面之一。

4.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述逆生长的二氧化硅薄膜的厚度为10埃至100埃。

5.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述回刻蚀工艺具体为干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀工艺中使用的刻蚀气体为NH₃，C₄F₈，C₄F₆，SiCONi。

7.如权利要求5所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述回刻蚀工艺中的湿法刻蚀工艺使用的刻蚀溶液为HF。

8.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述形成氮化硅层和二氧化硅层的多层堆叠结构之后还包括如下步骤：在所述多层堆叠结构中形成接触通孔，所述通孔的底部暴露所述基板，在所述接触通孔中形成三维存储器的沟道结构。

9.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构是由如权利要求1-8任意一项所述的方法制备得到的。