[发明专利]研磨元件、研磨轮及使用研磨轮制造半导体封装的方法有效

专利信息
申请号: 201710723477.6 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN109262447B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 茅一超;张进传;林俊成;张文华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B24B37/11 分类号: B24B37/11;H01L21/56;H01L21/304
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 研磨 元件 使用 制造 半导体 封装 方法
【说明书】:

提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿,且所述研磨齿包含研磨材料,所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。

技术领域

本公开的实施例涉及一种研磨轮的研磨元件、研磨轮以及制造半导体封装的方法。

背景技术

研磨是用于薄化半导体晶片的管芯并减小半导体封装的厚度的一种最常用的技术。由于许多集成电路及电子装置是自半导体晶片制造而成,因此受控良好的晶片薄化或封装薄化对装置性能及可靠性是有利的且有价值的。

发明内容

一种研磨轮的研磨元件包括研磨齿。所述研磨齿包含研磨材料。所述研磨材料具有:框架结构,包含磨料微粒及粘合所述磨料微粒的粘合材料;以及孔隙,分布在所述框架结构中。所述孔隙的孔径大于40微米且小于70微米。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的示意性仰视图。

图1B是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的一部分的示意性三维图。

图1C是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的一部分的示意性剖视图。

图1D是说明根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的研磨齿的一部分的示意性放大剖视图。

图2是示出在根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺中,待研磨的晶片之上的研磨轮的相对研磨轨迹的示意性俯视图。

图3A至图3H是在根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺中的各阶段的示意性剖视图。

图4A至图4B是根据本发明一些示例性实施例的研磨轮的研磨齿的大孔隙研磨材料的局部微观图。

图5A至图5B是研磨轮的研磨齿的对比研磨材料的局部微观图。

符号的说明

30:半导体封装

100:研磨轮

102:环形金属基底

102a:环形金属基底的底表面

103:外缘部分

104:内缘部分

105:孔

110:研磨齿

110a:研磨齿的下表面/接触表面

302:载体

304:缓冲层

310:芯片

310a:有源表面

312:接垫

314:金属柱

316:介电材料

320:层间穿孔

320a:层间穿孔的顶表面

350:模制化合物

350a:模制化合物的顶表面

360:重布线层

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