[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

说明书

本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

随着发光二极管的快速发展，LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)在显示屏上的应用日新月异。在LED制作过程，切割分离芯片是一道必须的工艺，通过切割分离后，LED芯片被分离成独立的产品，以便后续封装应用。在传统的LED切割制程中，最常见的是单独采用切割刀把外延片分离成独立发光二极管芯片；也有采用激光切割工艺、ICP(Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体)工艺，或者几种方法相互结合的切割工艺。

但是采用激光容易烧蚀LED外延材料，对外延材料具有一定的损伤且成本高；采用ICP蚀刻分离芯片，由于ICP蚀刻效率不高，且成本高，并不适合单独采用；采用超硬材料的金刚石切割刀，由于刀的厚度及形状，导致减少发光面积明显。

为了克服以上的缺点，避免发光二极管的光效明显降低。目前采用的办法是：1、采用激光切割和切割刀相结合；2、采用薄、厚刀相结合。但采用方案1还是避免不了激光烧蚀对外延材料的损伤的问题；采用方案2也无法明显避免发光面积减少的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种发光二极管及其制作方法，以解决现有技术中发光二极管的制作方法造成的外延材料损伤以及发光面积较小，发光效率较小的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种发光二极管制作方法，包括：

提供临时衬底；

在所述临时衬底上依次外延生长第一缓冲层、切割剥离层和基板层；

在所述基板层背离所述切割剥离层的表面依次生长第二缓冲层和发光二极管外延结构层，所述发光二极管外延结构层包括第一型电流扩展层和欧姆接触层，所述第一型电流扩展层与所述第二缓冲层相接触，所述欧姆接触层为所述发光二极管外延结构层背离所述第二缓冲层的最外层；

形成切割道和第一电极制作凹槽，所述切割道至少贯穿所述发光二极管外延结构层、所述第二缓冲层和所述基板层，所述第一电极制作凹槽贯穿所述欧姆接触层并延伸至所述第一型电流扩展层；

在所述切割道和所述第一电极制作凹槽以及所述发光二极管外延结构层的侧壁形成保护层；

制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一电极制作凹槽内且与所述第一型电流扩展层电性接触，所述第二电极与所述欧姆接触层电性接触；

在所述第一电极和所述第二电极上粘贴第一抗腐蚀蓝膜；

依次去除所述临时衬底、所述第一缓冲层和所述切割剥离层；

将所述基板层粘贴至第二抗腐蚀蓝膜，去除所述第一抗腐蚀蓝膜。

本发明还提供一种发光二极管制作方法，包括：

提供临时衬底；

在所述临时衬底上依次外延生长第一缓冲层、切割剥离层和基板层；