[发明专利]一种可调谐太赫兹分束器

权利要求书

1.一种可调谐太赫兹分束器，其特征在于，包括铜基底透射式光栅[1]、氧化铝绝缘层[2]、单层石墨烯片[3]以及金属电极[4]，其中，所述氧化铝绝缘层[2]镀在铜基底透射式光栅[1]出射面上，所述单层石墨烯片[3]覆盖在氧化铝绝缘层[2]上，所述金属电极[4]镀在单层石墨烯片[3]上；所述铜基底透射式光栅[1]上设置有两条侧缝以及一条中心缝，所述中心缝位于铜基底透射式光栅[1]中心，所述两条侧缝分别位于中心缝的两侧，且到中心缝的距离均为l，所述铜基底透射式光栅[1]出射面上设置有凹槽，所述凹槽以周期Λ_g等间距均匀分布。

2.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹分束器，其特征在于，所述两条侧缝的宽度w_s的取值范围为[0.12λ,0.16λ]，所述中心缝的宽度w_c的取值范围为[0.06λ,0.07λ]，中心缝和侧缝的间距l的取值范围为[0.8λ,1.2λ]，λ为太赫兹入射光工作波长。

3.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹分束器，其特征在于，所述凹槽数目不小于20个，所述凹槽宽度w_g的取值范围为[0.08λ,0.12λ]，凹槽深度t_g的取值范围为[0.12λ,0.16λ]，凹槽周期Λ_g的取值范围为[0.5λ,1.0λ]。

4.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹分束器，其特征在于，所述铜基底透射式光栅[1]厚度的取值范围为[20μm,50μm]。

5.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹分束器，其特征在于，所述氧化铝绝缘层[2]厚度的取值范围为[5nm,30nm]。

6.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹分束器，其特征在于，单层石墨烯[3]的厚度为1nm。