[发明专利]一种物联网雷达识别传感器

权利要求书

1.一种物联网雷达识别传感器，包括：依次连接的启动电路、恒流电路、反相电路、微透镜，所述微透镜下面覆盖一衬底层；

所述衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组成的转换电路，所述转换电路由行驱动及列驱动的矩阵单元电路构成，所述矩阵单元电路由并联的二极管D1、电容C1组成。

2.根据权利要求1所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述启动电路包括第一P晶体管(P1)、第一N晶体管(N1)，所述第一P晶体管(P1)与第一N晶体管(N1)在电源端与地之间串联连接；其中，所述第一P晶体管(P1)的源极接到电源端，栅极接地，所述第一N晶体管(N1)的栅极接复位信号，漏极接到第一P晶体管(P1)的漏极及所述转换电路中的D1正极，源极接地。

3.根据权利要求1所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述恒流电路包括第二P晶体管(P2)、第三P晶体管(P3)、第四P晶体管(P4)及第一电阻(R1)，其中，所述第二P晶体管(P2)的源极与第四P晶体管(P4)的源极同时与电源电压VDD连接，第二P晶体管(P2)的栅极与其漏极及第三P晶体管(P3)的源极连接，第三P晶体管(P3)的栅极接启动电路中第一N晶体管(N1)的漏极，第四P晶体管(P4)的栅极与第二P晶体管(P2)的栅极连接，漏极通过第一电阻(R1)接地。

4.根据权利要求1所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述反相电路包括第五P晶体管(P5)、第二N晶体管(N2)，所述第五P晶体管(P5)与第二N晶体管(N2)在电源端与地之间串联连接；其中，所述第五P晶体管(P5)的源极接到电源端，所述第二N晶体管(N2)的栅极与第五P晶体管(P5)的栅极同时接到恒流电路中第四P晶体管(P4)的漏极，源极接地，漏极接到第五P晶体管(P5)的漏极，并输出感应电信号。

5.根据权利要求1所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述微透镜的尺寸与光电二极管的口径大小一致。

6.根据权利要求5所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述微透镜是一种硅氧化物的聚光透镜。

7.根据权利要求1所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述晶体管采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述第一P晶体管(P1)、第二P晶体管(P2)、第三P晶体管(P3)、第四P晶体管(P4)及第五P晶体管(P5)为PMOS管，第一N晶体管(N1)、第二N晶体管(N2)为NMOS管。

9.根据权利要求1-8任一所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述第二P晶体管(P2)与第三P晶体管(P3)的长度相等。

10.根据权利要求9所述的物联网雷达识别传感器，其特征在于，所述第二P晶体管(P2)或第三P晶体管(P3)的宽度是第四P晶体管(P4)的宽度18-22倍。