[发明专利]横向PiN结构光电探测器在审
| 申请号： | 201710687156.5 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107658363A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 pin 结构 光电 探测器 | ||
1.一种横向PiN结构光电探测器，其特征在于，包括：SOI衬底(11)和晶化Ge层(12)；其中，
所述SOI衬底(11)包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2层(120)和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区(111)、i型区(112)和P型掺杂区(113)，所述晶化Ge层(12)设置于所述i型区(112)表面上。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括金属电极(13)，所述金属电极(13)分别设置于所述N型掺杂区(111)和所述P型掺杂区(113)之上。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述N型掺杂区(111)的掺杂离子为P，掺杂浓度为1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型掺杂区(113)的掺杂离子为B，掺杂浓度为1×1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述晶化Ge层(12)厚度为190～300nm。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述晶化Ge层(12)包括Ge晶籽层和Ge主体层。
7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述晶化Ge层(12)是所述Ge晶籽层和所述Ge主体层经过激光再晶化工艺形成的；其中，所述激光再晶化工艺的参数包括：激光波长为808nm，激光光斑尺寸100μm×100μm，激光功率为1.5kW/cm2，曝光时间40ms。
8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属电极(13)材料为Cr或者Au或者Ni。
9.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括设置于所述晶化Ge层(12)和所述Si层之上的SiO2钝化层(14)。
10.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述SiO2钝化层(14)的厚度为300～350nm。
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