[发明专利]电子装置、产品及制造集成电路方法及产生数据集的方法

权利要求书

1.一种具有一组可编程存储单元的集成电路上产生数据集的方法，包括：

使曝露于所述集成电路上具有地址的所述一组可编程存储器单元经过处理后引入相异的门限值，且所述一组可编程存储器单元位于一个起始分布的范围内；

查找所述起始分布中的第一分界线及与所述第一分界线不同的第二分界线；

辨识所述一组可编程存储单元的具有处于所述起始分布的第一部分中所述第一分界线下方的门限值的第一子集、以及所述一组可编程存储单元的具有处于所述起始分布的第二部分中所述第二分界线上方的门限值的第二子集；以及

使用所述第一子集及所述第二子集中的至少一个的地址来产生所述数据集。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述产生所述数据集包括使用所述地址来选择所述第一子集及所述第二子集中的所述至少一个中的存储单元；以及

使用位于所述第一分界线与所述第二分界线之间的读取电压来读取所述一组中的所述可编程存储单元。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述产生所述数据集包括根据所述第一子集及所述第二子集中的所述至少一个中的成员身份来组合所述第一子集及所述第二子集中的所述至少一个中的存储单元的所述地址。

4.根据权利要求3所述的方法，包括将经组合的地址存储于所述集成电路上的存储器中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组中的所述可编程存储单元是电荷捕获存储单元，且所述门限值是门限电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述引入相异的门限值的步骤包括在制造期间的刻蚀步骤或沉积步骤，所述刻蚀步骤或所述沉积步骤在所述一组中的所述可编程存储单元的电荷存储结构中引发电荷捕获。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述引入相异的门限值的步骤包括使用所述集成电路上的偏压施加电路进行偏压施加操作，以在所述一组中的所述可编程存储单元的电荷存储结构中感应电荷。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述查找包括：

确定所述起始分布中的门限电压，所述门限电压使具有低于所述门限电压的门限值的存储单元的个数对具有高于所述门限电压的门限值的存储单元的个数的比率处于目标比率范围内，并通过自所述门限电压减去第一常数来设定所述第一分界线，并且通过对所述门限电压加上第二常数来设定所述第二分界线。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述查找包括：

使用移动的第一读取电压来迭代地读取所述一组可编程存储单元中的数据值，并对所述一组中具有低于所述第一读取电压的门限值的存储单元进行计数，并且使用使所述计数处于第一目标计数范围内的所述第一读取电压来设定所述第一分界线。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述查找包括：

使用移动的第二读取电压迭代地读取所述一组可编程存储单元中的数据值，并对所述一组中具有高于所述第二读取电压的门限值的存储单元进行计数；以及

使用使所述计数处于第二目标计数范围内的所述第二读取电压来设定所述第二分界线。

11.一种制造集成电路的方法，包括：

在所述集成电路上形成多个可编程存储单元；

将所述集成电路连接至系统，所述系统被配置成与所述集成电路交换信号；以及

使用所述系统通过以下方式产生所述多个可编程存储单元中具有门限值的起始分布的一组可编程存储单元中的数据集：

查找所述起始分布中的第一分界线及与所述第一分界线不同的第二分界线；

辨识所述一组可编程存储单元的具有处于所述起始分布的第一部分中所述第一分界线下方的门限值的第一子集、以及所述一组可编程存储单元的具有处于所述起始分布的第二部分中所述第二分界线上方的门限值的第二子集；以及

使用所述第一子集及所述第二子集中的至少一个的地址来产生所述数据集。