[发明专利]蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，包含：

过氧化氢；

含氟化合物；

唑系化合物；

含羧基胺系化合物；

磷酸系化合物；

被C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及

水，

其中，所述磷酸系化合物包括：H₃PO₂、H₃PO₃、H₃PO₄或者其任意的组合，

以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，

所述过氧化氢的含量范围为15重量％至25重量％；

所述含氟化合物的含量范围为0.01重量％至5重量％；

所述唑系化合物的含量范围为0.1重量％至5重量％；

所述含羧基胺系化合物的含量范围为0.5重量％至5重量％；

所述磷酸系化合物的含量范围为0.3重量％至5重量％；

被所述C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量范围为0.001重量％至5重量％。

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含氟化合物包括：

HF、NaF、NH₄F、NH₄BF₄、NH₄FHF、KF、KHF₂、AlF₃、HBF₄或者其任意的组合。

3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括：

吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、恶唑系化合物、异恶唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物或者其任意的组合。

4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括被烷基或氨基所取代的四唑。

5.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羧基胺系化合物包括：

丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、肌氨酸、乙二胺四乙酸或者其任意的组合。

6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

被所述C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丙二醇包括1,3-丙二醇，

被所述C₁-C₅烷基所取代或未被取代的丁二醇包括1,4-丁二醇。

7.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述蚀刻液组合物用于蚀刻包括铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的单一膜或多层膜。

8.一种金属图案的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成金属膜；

在所述金属膜上形成光致抗蚀图案；以及

将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使权利要求1至7中的任意一项所述的蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻。

9.如权利要求8所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属膜包括：

包含铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的单一膜或多层膜。

10.如权利要求8所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属膜包括：

单一膜，包含铜系金属膜；或者

二重膜或三重膜，包含铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合。