[发明专利]一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法有效
| 申请号: | 201710615694.3 | 申请日: | 2017-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN109309016B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;甄辉;齐风;蔡瑞祥 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 沟槽 腐蚀 硅片 保护 方法 | ||
一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法,其特征在于:在所述硅片表面印刷耐酸蜡,所述耐酸蜡成分包括2‑丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸‑2‑(2‑乙氧基乙氧基)乙酯。本发明相较于原工艺的有益效果是采用丝网印刷耐酸胶的工艺代替原有涂覆光刻胶的方法,大大缩短工艺流程,提高GPP生产效率,同时减少化工原料使用量,有效降低成本。
技术领域
本申请属于GPP生产技术领域,具体地说,涉及一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法。
背景技术
GPP是Glassivation passivation parts的缩写,是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃,玻璃与单晶硅有很好的结合特性,使P/N结获得最佳的保护,免受外界环境的侵扰,提高器件的稳定性,信赖性极佳。也因此GPP 在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺,越来越受到行业内的关注,如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。目前常用的沟槽腐蚀前的保护方法是采用光刻工艺,工艺流程有前烘-涂胶双面胶-烘烤-光刻-显影-坚膜-去氧化层-烘烤-背胶-烘烤。工艺流程长,影响GPP生产效率,化工原料使用量大,成本高。
发明内容
有鉴于此,本申请所要解决的技术问题是提供了沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片,采用丝网印刷耐酸蜡的方法,缩短原工艺的流程,减少化工原料使用量。
为了解决上述技术问题,本申请公开了一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法及硅片,并采用以下技术方案来实现。
一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法,在硅片表面印刷耐酸蜡对所述硅片进行保护。
进一步的,所述印刷耐酸蜡的步骤依次包括:前烘-N面印刷耐酸蜡-烘烤-P面印刷耐酸蜡-烘烤;所述N面印刷耐酸蜡和所述P面印刷耐酸蜡顺序可以互换。
进一步的,所述耐酸蜡成分包括:2-丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸-2-(2- 乙氧基乙氧基)乙酯。
进一步的,所述耐酸蜡的成分不包括石棉纤维。
进一步的,所述烘烤的条件是将所述硅片置于90℃~180℃烘箱内烘烤 20min~60min。
进一步的,所述印刷耐酸蜡的步骤还包括后续不需要保护时去除耐酸蜡。
进一步的,所述去除耐酸蜡具体操作为将印刷有所述耐酸蜡的硅片放置于溶液中浸泡。
优选的,所述溶液为2%-10%的KOH溶液,所述浸泡的时间为 5min-30min。
与现有技术涂覆光刻胶的工艺相比,本申请可以获得包括以下技术效果:采用丝网印刷耐酸胶的工艺,大大缩短工艺流程,提高GPP生产效率,同时减少化工原料使用量,有效降低成本。
当然,实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
具体实施方式
以下将配合实施例来详细说明本申请的实施方式,藉此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法,采用在硅片表面印刷耐酸蜡的方式对硅片进行保护。印刷耐酸蜡的工艺流程包括:前烘-N面印刷耐酸蜡-烘烤-P 面印刷耐酸蜡-烘烤。前烘,即在印刷耐酸蜡之前先行对硅片进行烘烤,将硅片表面的湿气烘干,加强印刷蜡与硅片表面的粘附性,避免后续腐蚀硅片表面蜡脱落不良现象。
耐酸蜡的主要成分包括:2-丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸-2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯,不含有石棉纤维。其中,2-丁氧基乙醇重量占比为20%~25%;滑石粉重量占比为10%~20%;乙酸-2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯重量占比为 10%~20%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





