[发明专利]一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法有效
| 申请号： | 201710615694.3 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309016B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;甄辉;齐风;蔡瑞祥 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 腐蚀 硅片 保护 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：在硅片表面印刷耐酸蜡对所述硅片进行保护；所述印刷耐酸蜡的步骤依次包括：前烘-N面印刷耐酸蜡-烘烤-P面印刷耐酸蜡-烘烤；或前烘-P面印刷耐酸蜡-烘烤-N面印刷耐酸蜡-烘烤；所述耐酸蜡成分包括：2-丁氧基乙醇、滑石粉和乙酸-2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯。
2.根据权利要求1所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述耐酸蜡的成分不包括石棉纤维。
3.根据权利要求1所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述烘烤的条件是将所述硅片置于90℃～180℃烘箱内烘烤20min～60min。
4.根据权利要求1所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述印刷耐酸蜡的步骤还包括后续不需要保护时去除耐酸蜡。
5.根据权利要求4所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述去除耐酸蜡具体操作为将印刷有所述耐酸蜡的硅片放置于溶液中浸泡。
6.根据权利要求5所述沟槽腐蚀时的硅片保护方法，其特征在于：所述溶液为2％-10％的KOH溶液，所述浸泡的时间为5min-30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
