[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在部分基底上形成若干牺牲层；

在所述牺牲层的侧壁上形成侧墙，在相邻牺牲层和侧墙之间形成第一开口；

在所述第一开口底部的基底上形成抬高层，所述抬高层覆盖侧墙的部分侧壁；

去除所述牺牲层，形成暴露出基底的第二开口；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的所述抬高层和基底、以及所述第二开口底部的基底，形成双鳍部结构，所述双鳍部结构包括位于第一开口底部的第三开口、第三开口底部的连接部以及位于第三开口和连接部两侧的鳍部，所述鳍部位于侧墙底部；

形成双鳍部结构之后，去除所述侧墙；

去除所述侧墙之后，形成横跨鳍部和第三开口的栅极结构，且所述栅极结构覆盖所述鳍部顶部以及第三开口的部分侧壁和底部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二开口底部的基底，在所述基底内形成第四开口，所述第四开口底部的基底表面低于所述第三开口底部的连接部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，牺牲层的形成步骤包括：在所述基底上形成牺牲膜；图形化所述牺牲膜，形成所述牺牲层；所述牺牲膜的材料包括：无定形碳、光刻胶或者底部抗反射层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成步骤包括：在所述基底上、牺牲层的侧壁和顶部表面形成侧墙膜；去除位于基底上和牺牲层顶部表面的侧墙膜，形成所述侧墙。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括：氧化硅或者氮化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为：5纳米～30纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底的材料包括绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括第一基底部、第一基底部上的绝缘层以及位于绝缘层上的第二基底部；所述第二基底部的材料为单晶半导体材料。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二开口底部的第二基底部，直至暴露出所述绝缘层为止。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述单晶半导体材料包括：硅、硅锗、碳化硅或者Ⅲ-Ⅴ族元素的单晶化合物。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抬高层的形成工艺包括：外延生长工艺；所述抬高层的材料包括：硅、硅锗、碳化硅或者Ⅲ-Ⅴ族元素的单晶化合物。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抬高层的材料为硅时，所述外延生长工艺的参数包括：外延气体包括硅烷，温度为700摄氏度～800摄氏度，时间为20分钟～50分钟。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抬高层的厚度为：5纳米～20纳米。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于侧墙侧壁的方向上，所述抬高层的尺寸为：5纳米～25纳米。