[发明专利]芯片版图的检测方法及装置、计算机可读存储介质、终端

说明书

一种芯片版图的检测方法及装置、计算机可读介质、终端。所述方法包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。应用上述方案，可以避免新芯片引进过程中良率的下降的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种芯片版图的检测方法及装置、计算机可读介质、终端。

背景技术

为了保证集成电路芯片在生产过程中成功量产，并得到高的良率，芯片制造工厂要求版图设计者所设计的芯片版图满足一定的设计规则。

由于集成电路芯片的芯片版图设计需要满足设计规则，并且芯片版图通常包括大量的图形，版图设计者在设计过程中很有可能会出现失误，版图设计软件设计的图形也不可避免地会存在一些误差，因此，当版图设计完成后，在进入工厂开始制造以前，需要先对芯片版图中的图形进行下线(tape-out)检测。

具体地，进行下线检测时，通常先检测芯片版图中的图形是否违反设计规则(design rule check)，同时会对芯片版图中的图形进行光学邻近效应修正(OpticalProximity Correction，OPC)仿真。基于OPC仿真结果，确定所检测的图形中是否有生产中做不到的图形。

然而，无论是设计规则检测，还是OPC仿真，都难以检测出芯片版图中是否有造成良率下降的新的图形，由此导致新芯片的引进过程中有可能造成良率的下降。

发明内容

本发明要解决的是如何避免新芯片引进过程中良率的下降的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种芯片版图的检测方法，所述方法包括：对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的版图中的所有图形，所述待检测芯片为两个以上；将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化，得到所述待检测芯片对应的所有二进制图形；采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形；采用预设的危险图形查找规则，从所述待检测芯片对应的新图形中查找影响良率的危险图形并输出。

可选地，所述对待检测芯片的版图进行碎片化处理，得到所述待检测芯片的所有图形，包括：确定第一截取半径；按照所确定的第一截取半径，截取所述待检测芯片的版图中的所有图形。

可选地，所述确定第一截取半径，包括：根据预先获取到的第一半径设定若干个第二截取半径，其中，所述第一半径是由所选取的一个待检测芯片的版图图形中第三截取半径随重复图形的数量值及非重复图形的种类值的变化进行确定的；所述重复图形为所选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形一致的图形，所述非重复图形为选取的待检测芯片的版图图形中与参考芯片的版图图形不一致的图形；分别以所设定的第二截取半径，截取各所述待检测芯片的版图中的所有图形；基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径。

可选地，所述基于各所述待检测芯片对应的图形的数量的分布情况，确定所述第一截取半径，包括：将各所述待检测芯片对应的图形的数量分布最集中的区域所对应的第二截取半径，作为所述第一截取半径。

可选地，所述采用预设的新图形查找规则，从所述待检测芯片对应的所有二进制图形中查找所述待检测芯片所有图形中的新图形，包括：采用预设的新图形查找规则，将所述待检测芯片对应的所有二进制图形与预设的图形数据库中的图形进行比对，查找出所述待检测芯片所有图形中新图形。