[发明专利]研磨台清洗装置及其清洗方法

说明书

本发明提供了一种研磨台清洗装置及其清洗方法，用于清洗研磨台上的碱性研磨液，所述研磨台用于研磨晶元，所述研磨台包括卡盘和铺设在所述卡盘上的抛光布，所述研磨台清洗装置包括：第一清洗箱，用于储存去离子水；第二清洗箱，用于储存酸性溶液；输送管路，与所述第一清洗箱和所述第二清洗箱均连接，用于输送第一清洗箱中的去离子水和第二清洗箱中的酸性溶液，并喷洒在所述研磨台上，以清洗所述研磨台上的碱性研磨液。在本发明提供的研磨台清洗装置中，同时设置了第一清洗箱和第二清洗箱，分别输送去离子水和酸性溶液，从而在清洗研磨台时，可利用酸性溶液来中和碱性的研磨液，使研磨台得到彻底清洗，避免了研磨液对晶元的腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种研磨台清洗装置及其清洗方法。

背景技术

晶元(Wafer)，是生产集成电路所用的载体，广泛应用于半导体技术领域，对于晶元来说，晶元表面的缺陷能级是最重要的参数。晶元最常见的缺陷是在晶元中间出现环状的微差干涉，即在晶元同一半径处会出现连成环状的浅坑，发明人发现这些环状的微差干涉主要是由于晶元在研磨工艺过程中的碱性研磨液腐蚀造成的。

参阅图1～4，晶元3在研磨的过程中，被放置在一圆形卡盘1上，卡盘1上具有若干环状通孔，用于抽真空以吸附晶元3，在卡盘上设置一抛光布2，所要研磨的晶元1放置在抛光布2上，抛光布2用于保护晶元，抛光布2被粘附在圆形卡盘1上，由于抛光布2是多孔材质，可以传递负压吸力，同时又由于抛光布材质较软，可以避免较硬的卡盘与晶元直接接触，造成背面损伤。在晶元研磨后，取下研磨好的晶元，利用清洗装置4对抛光布2进行清洗，但是抛光布2和卡盘1边缘之间的碱性的研磨液难以清洗。当晶元再次放置在抛光布2上时，抛光布2中的研磨液容易腐蚀晶元3，形成环状的浅坑31。

卡盘1可绕圆心旋转，在同心旋转过程中，碱性的研磨液会由于离心力的作用向外扩散，然而这些碱性的研磨液较容易被困在抛光布2和卡盘1之间，久而久之这个环形区域就成了ph值极高的区域，如图4所示。每当晶元3与该区域接触，碱性研磨液就会对晶元进行腐蚀，最终造成较浅的凹坑，并聚集成环状。

现有的解决方案包括：

1、增加对抛光布的冲洗时间，尽量使抛光布冲洗干净，但是这会严重影响生产效率，且耗水量大。

2、增加抛光布更换频率，这样势必导致抛光布的使用量增多。

为此，有必要提供一种研磨台的清洗装置来解决研磨液腐蚀晶元的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种研磨台清洗装置及其清洗方法，以解决研磨台腐蚀晶元的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种研磨台清洗装置，用于清洗研磨台上的碱性研磨液，所述研磨台用于研磨晶元，所述研磨台清洗装置包括：

第一清洗箱，用于储存去离子水；

第二清洗箱，用于储存酸性溶液；

输送管路，与所述第一清洗箱和所述第二清洗箱均连接，用于输送所述第一清洗箱中的去离子水和所述第二清洗箱中的酸性溶液，并喷洒在所述研磨台上，以清洗所述研磨台上的碱性研磨液。

可选的，所述酸性溶液包括盐酸溶液、氟化氢溶液或缓冲氢氟酸溶液中的一种或几种。

可选的，所述输送管路包括中央管路，所述中央管路的一端与所述第一清洗箱和所述第二清洗箱均连通，所述中央管路的另一端位于所述研磨台的中心位置。

可选的，所述输送管路还包括边缘管路，所述边缘管路的一端与所述中央管路连通，所述边缘管路的另一端位于所述研磨台的边缘位置。

可选的，所述输送管路上设置有第一开关控制阀，用于控制去离子水的输送，所述第一开关控制阀位于所述第一清洗箱的出水口。