[发明专利]一种柔性TiO2阻变存储器阵列的制备方法

权利要求书

1.一种柔性TiO₂阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用提拉法将钛离子前驱溶液涂敷在柔性的PET/ITO基底上在其表面形成TiO₂凝胶膜，然后对PET/ITO/TiO₂依次经过高压汞灯下辐照和低压汞灯下辐照获得非晶态的TiO₂薄膜阵列，最后在PET/ITO/TiO₂阵列上沉积Pt电极，获得具有良好保持特性和循环特性的柔性PET/ITO/TiO₂存储器阵列。

2.根据权利要求1所述的柔性TiO₂阻变存储器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1)、将双(乙酰丙酮基)乙氧基异丙氧基钛酸酯与乙二醇甲醚溶液混合，获得Ti⁴⁺离子为0.5mol/L的溶液A；

步骤2)、向溶液A中添加乙酰丙酮溶液，使得乙酰丙酮与Ti⁴⁺的摩尔比为1:1，搅拌后获得溶液B；

步骤3)、采用步骤2）所得的溶液B，以PET/ITO为基底，采用提拉法，以2mm/s的速度提拉镀膜，获得TiO₂凝胶膜；

步骤4)、在步骤3）获得的PET/ITO/TiO₂上，放置掩模板C，并置于高压汞灯下进行辐照，辐照结束后，取出样品；

步骤5)、将步骤4）辐照后的样品，浸入到无水乙醇溶液中，浸泡1分钟后，取出样品，用氮气吹干，获得TiO₂凝胶膜阵列；

步骤6)、将步骤5）所得的TiO2凝胶膜阵列，放于加热板上，然后置于低压汞灯下辐照；辐照结束后，获得非晶态的TiO₂薄膜阵列；

7)、在步骤6）获得的非晶态的TiO₂薄膜阵列上，再次放置掩模板C，然后采用小型离子溅射仪，在PET/ITO/TiO₂阵列上沉积Pt电极，最终获得以柔性PET为衬底，ITO为底电极，Pt为上电极的TiO₂阻变存储器阵列。

3.根据权利要求2所述的一种柔性TiO₂阻变存储器阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述的溶液A浓度控制在0.4-0.5mol/l。

4.根据权利要求2或3所述的柔性TiO₂阻变存储器阵列的制备方法，其特征在于，步骤4）中所述的高压汞灯的主波长为365nm，辐照时间为30-60分钟。

5.根据权利要求4所述的柔性TiO₂阻变存储器阵列的制备方法，其特征在于，步骤5）中所述的低压汞灯的主波长为185nm和254nm，加热温度为150^oC辐照时间为3-5小时，辐照过程中始终控制加热板温度为150℃。

6.根据上述任意一项权利要求所述制备方法制得的柔性TiO₂阻变存储器。