[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括要形成非易失性存储元件的第一区、要形成第一晶体管的第二区和要形成第二晶体管的第三区；

其中，位于所述第三区中的所述半导体衬底具有SOI结构，所述SOI结构具有支撑衬底、在所述支撑衬底上方的绝缘层和在所述绝缘层上方的半导体层，而位于所述第一区和所述第二区中的每一个中的所述半导体衬底既没有所述绝缘层也没有所述半导体层，并且由所述支撑衬底制成，

(b)在位于所述第三区中的所述半导体层上方以及在位于所述第一区和所述第二区中的每一个中的支撑衬底上方，形成用于所述第一晶体管的栅绝缘膜的第一绝缘膜；

(c)在步骤(b)之后，从所述第一区去除所述第一绝缘膜，而在所述第二区和所述第三区中的每一个中留下所述第一绝缘膜；

(d)在步骤(c)之后，在位于所述第一区中的所述支撑衬底上方和在位于所述第二区和所述第三区中的每一个中的所述第一绝缘膜上方，形成用于所述存储元件的栅绝缘膜的第二绝缘膜；

(e)在步骤(d)之后，从所述第二区和所述第三区中的每一个去除所述第二绝缘膜，而在所述第一区中留下所述第二绝缘膜；

(f)在步骤(e)之后，从所述第三区去除所述第一绝缘膜，而在所述第一区中留下所述第二绝缘膜，并且在所述第二区中留下所述第一绝缘膜；

(g)在步骤(f)之后，在位于所述第三区中的所述半导体层上方，形成用于所述第二晶体管的栅绝缘膜的第三绝缘膜；

(h)在步骤(g)之后，在位于所述第一区中的所述第二绝缘膜上方、在位于所述第二区中的所述第一绝缘膜上方和在位于所述第三区中的所述第三绝缘膜上方，形成第一膜；以及

(i)在步骤(h)之后，对所述第一膜进行图案化，以形成用于所述存储元件的第一栅电极、用于所述第一晶体管的第二栅电极和用于所述第二晶体管的第三栅电极，

其中，经由所述第二绝缘膜，在位于所述第一区中的所述支撑衬底上方形成所述第一栅电极，

其中，经由所述第一绝缘膜，在位于所述第二区中的所述支撑衬底上方形成所述第二栅电极，

其中，经由所述第三绝缘膜，在位于所述第三区中的所述半导体层上方形成所述第三栅电极，

其中，插入在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间的所述第一绝缘膜的厚度大于插入在所述第三栅电极和所述半导体衬底之间的所述第三绝缘膜的厚度，

其中，插入在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间的所述第二绝缘膜由包括第四绝缘膜、在所述第四绝缘膜上方的第五绝缘膜和在所述第五绝缘膜上方的第六绝缘膜的多层膜制成，以及

其中，所述第五绝缘膜具有电荷储存功能。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一绝缘膜由二氧化硅膜制成，以及

其中，所述第三绝缘膜由二氧化硅膜制成。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，通过热氧化方法来形成所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜中的每一个。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第四绝缘膜由二氧化硅膜或氮氧化硅膜制成，

其中，所述第五绝缘膜由氮化硅膜制成，以及

其中，所述第六绝缘膜由二氧化硅膜制成。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第四绝缘膜和所述第六绝缘膜中的每一个中的带隙大于所述第五绝缘膜中的带隙。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一膜由硅膜制成。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(e)中，通过湿蚀刻从所述第二区和所述第三区中的每一个去除所述第二绝缘膜。