[发明专利]一种纯钛和钛合金的电子束熔丝增材制造方法

权利要求书

1.一种纯钛和钛合金的电子束熔丝增材制造方法，其特征在于，该增材制造方法为：在TC4基底上，通过纯钛丝和TC4丝材交错重叠的沉积，纯钛丝沉积形成连接相，TC4丝材沉积形成基底相，控制沉积时同种丝材间的使两沉积道之间的搭接率为50％-58％，不同种丝材间的搭接率为40％-45％，并对每层每焊道进行小束流7mA的电子束扫描，且在不同沉积层或不同沉积层的沉积道之间形成纵向及横向的交替，完成多层多道实体的增材制造。

2.根据权利要求1所述的纯钛和钛合金的电子束熔丝增材制造方法，其特征在于，所述的多层多道实体为十层焊层十五道沉积道。

3.一种纯钛和钛合金的电子束熔丝增材制造方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1，对TC4基板进行预处理，并设置TC4丝材和纯钛丝；

步骤2，抽取真空，设定参数：电子束加速电压、聚焦电流、束流、送丝速度、工作台运动速度；

步骤3，设定电子束流为30mA-40mA，聚焦电流为860mA，加速电压为60KV，运动速度为5mm/s，束流上升、下降时间为1.5s；送丝速度为15mm/s；使TC4丝材位于电子束斑点下方，采取束后送丝，送丝角度为60°，丝材距离TC4基板的高度为2mm，进行第一层第一道TC4丝材基底相沉积，记为1-1；

步骤4，设定电子束流：30mA-40mA，聚焦电流860mA，加速电压：60KV，运动速度：5mm/s，束流上升、下降时间：1.5s；送丝速度：15mm/s；使TC4丝材位于电子束斑点下方，采取束后送丝，调整位置，使丝材距离基板的高度为2mm，与步骤3的沉积层的使两沉积道之间的搭接率为50％-58％，紧挨第一层第一道丝材沉积TC4，对焊道进行小束流7mA的电子束扫描，进行第一层第二道TC4丝材基底相沉积，记为1-2；

步骤5，重复步骤4，直至完成第一层第三道至第一层第十道的TC4丝材沉积；

步骤6，设定电子束流：20mA-30mA，聚焦电流860mA，加速电压：60KV，运动速度：5mm/s，束流上升、下降时间：1.5s，送丝速度：15mm/s；使丝材位于电子束斑点下方，采取束后送丝，移动真空室内的操作台至第一层第一道的位置坐标处，送丝角度为60°，丝材距离第一层第一道沉积层的中心线位置高度为1.5mm，并在第一层第一道TC4丝材基底相上，进行第二层第一道沉积纯钛丝连接相沉积，记为2-1；

步骤7，设定电子束流：20mA-30mA，聚焦电流860mA，加速电压：60KV，运动速度：5mm/s，束流上升、下降时间：1.5s；送丝速度：15mm/s；使丝材位于电子束斑点下方，采取束后送丝，与2-1的沉积层之间的使两沉积道之间的搭接率为50％-58％，紧挨进行第二层第一道丝材沉积，对焊道进行小束流7mA的电子束扫描，进行第二层第二道纯钛丝连接相沉积，记为2-2；

步骤8，重复步骤7，直至完成第二层第三道至第二层第十道的纯钛丝连接相沉积；

步骤9，在第二层纯钛丝连接相沉积层上重复步骤3-5完成第三层TC4丝材基底相沉积；

步骤10，重复上述步骤直至完成十五层，形成层与层之间两种材料的交错沉积，最终形成十五层十道沉积道的实体。