[发明专利]低衰减单模光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.0μm，相对折射率差△1为0.33～0.36％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层半径r2为12～14μm，相对折射率差△2为-0.01～0.01％，所述的外包层半径r3为62～63μm，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。

2.按权利要求1所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的芯层为掺锗和掺氯二氧化硅玻璃层，其中锗的贡献量ΔGe为0.24～0.28％，氯的贡献量ΔCl为0.07～0.15％。

3.按权利要求1或2所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述的内包层为掺氟和掺氯二氧化硅玻璃层，其中氟的贡献量ΔF为-0.12～-0.07％，氯的贡献量ΔCl为0.07～0.12％。

4.按权利要求3所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.4～9.6微米。

5.按权利要求3所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.324dB/km；在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.184dB/km。

6.按权利要求3所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤具有小于或等于1260nm的光缆截止波长。

7.按权利要求3所述的低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散波长为1300nm～1324nm；光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于0.092ps/(nm²*km)。

8.一种低衰减单模光纤的制备方法，其特征在于通过VAD工艺制造芯棒soot，形成芯层和内包层，在芯层沉积过程掺入锗，在内包层沉积过程掺入氟，形成芯层掺锗、内包层掺氟的芯棒soot，将此芯棒soot放入烧结炉内进行脱水，脱水完成后通入一定量的含氯原料作为掺杂剂进行掺氯，然后进行烧结致密化得到芯层掺锗和氯、内包层掺氟和氯的玻璃芯棒；将此芯棒套入纯二氧化硅外套管，或通过OVD工艺在此芯棒外面沉积外包层，得到可供拉丝的预制棒，将此预制棒在1500～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤。

9.按权利要求8所述的低衰减单模光纤的制备方法，其特征在于所述光纤加工时的拉丝速度为1000m/min～3300m/min。

10.按权利要求8或9所述的低衰减单模光纤的制备方法，其特征在于所述光纤加工时的裸光纤的拉丝张力为100g～350g。