[发明专利]供电电路、生成方法和控制方法

权利要求书

1.一种供电电路，包括：

带隙基准电压源Bandgap；

实时检测控制模块，包括：检测控制单元和标准单元；和

替代电压源模块；

其中，所述实时检测控制模块与所述Bandgap和所述替代电压源模块连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压，包括：所述检测控制单元与所述Bandgap和所述标准单元连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述标准单元的分压电路，使所述标准单元的标识点电压与所述Bandgap的输出电压相等；

当所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，所述实时检测控制模块关闭所述Bandgap，采用所述替代电压源模块供电，包括：所述检测控制单元根据所述标准单元分压电路调整所述替代电压源模块的分压电路，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。

2.根据权利要求1所述的供电电路，其中，

所述替代电压源模块具有多个输出点电压，多个所述输出点电压相同或不同；和/或，

所述供电电路包括多个所述替代电压源模块，多个所述替代电压源模块的所述输出点电压相同或不同。

3.根据权利要求1所述的供电电路，还包括：

当所述替代电压源模块供电时间达到预定时长后，所述实时检测控制模块重新根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到所述目标电压。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的供电电路，其中，

所述替代电压源模块包括：

PMOS管；

NMOS管；

第一电阻；

第二电阻；和

电容；

其中，所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述第一电阻的第一端连接；

所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述第二电阻的第二端连接；

所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第一电阻和所述第二电阻中的至少一个为可变电阻，所述可变电阻的控制端与所述实时检测控制模块的电阻控制端连接；

所述电容与地和所述第二电阻的第一端连接；

替代电压源模块的输出点位于所述第二电阻上，且输出点到地之间的阻值与所述第二电阻的比值等于所述目标电压与Bandgap输出电压的比值。

5.根据权利要求1所述的供电电路，其中，

所述标准单元包括：

PMOS管；

NMOS管；

标准单元第一电阻；和

标准单元第二电阻；

其中，所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述标准单元第一电阻的第一端连接；

所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述标准单元第二电阻的第二端连接；

所述标准单元第一电阻为可变电阻，所述标准单元第一电阻的控制端与所述检测控制单元的电阻控制端连接；

所述检测控制单元控制调节所述标准单元第一电阻的阻值以使所述标准单元第一电阻的第二端和/或所述标准单元第二电阻的第一端的输出电压与所述Bandgap的输出电压相同。