[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、在所述衬底上的多个半导体鳍片、在每个所述半导体鳍片周围的沟槽以及填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中，所述多个半导体鳍片包括用于形成第一器件的第一半导体鳍片和用于形成第二器件的第二半导体鳍片；

对所述第一半导体鳍片执行第一掺杂以在所述第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；

在形成所述第一抗穿通区域之后，去除所述第一绝缘物层的至少一部分以使得所述沟槽的至少一部分未被所述第一绝缘物层填充；

形成第二绝缘物层，其中所述第二绝缘物层填充所述沟槽的未被填充部分；以及

在形成所述第二绝缘物层之后，对所述第二半导体鳍片执行第二掺杂以在所述第二半导体鳍片中形成第二抗穿通区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在提供半导体结构的步骤中，所述半导体结构还包括：在每个所述半导体鳍片之上的硬掩模层；其中，所述第一绝缘物层的上表面与所述硬掩模层的上表面齐平；

其中，在执行所述第一掺杂的过程中，经过所述硬掩模层对所述第一半导体鳍片执行第一掺杂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂为第一离子注入工艺，所述第二掺杂为第二离子注入工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一器件为NMOS器件，所述第二器件为PMOS器件；

所述第一离子注入工艺的条件包括：所注入的离子为P型掺杂物，注入能量为10keV至20keV，注入剂量为1.0×10¹³atom/cm²至4.0×10¹⁴atom/cm²；

所述第二离子注入工艺的条件包括：所注入的离子为N型掺杂物，注入能量为35keV至120keV，注入剂量为1.0×10¹³atom/cm²至5.0×10¹⁴atom/cm²。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，经过所述硬掩模层对所述第一半导体鳍片执行第一掺杂的步骤包括：

在形成所述第一绝缘物层之后的半导体结构上形成图案化的第一掩模层，所述第一掩模层露出在所述第一半导体鳍片上的所述硬掩模层的部分；

经过露出的所述硬掩模层的部分，对所述第一半导体鳍片执行第一掺杂，以在所述第一半导体鳍片中形成第一抗穿通区域；以及

去除所述第一掩模层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成所述第二绝缘物层的过程中，所述第二绝缘物层覆盖所述半导体鳍片和所述硬掩模层；

对所述第二半导体鳍片执行第二掺杂的步骤包括：

在形成所述第二绝缘物层之后的半导体结构上形成图案化的第二掩模层，所述第二掩模层露出在所述第二半导体鳍片上方的所述第二绝缘物层的部分；

经过所述第二绝缘物层的露出部分和该露出部分下面的所述硬掩模层的部分，对所述第二半导体鳍片执行第二掺杂，以在所述第二半导体鳍片中形成第二抗穿通区域；以及

去除所述第二掩模层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述第二绝缘物层之后，所述第二绝缘物层和所述第一绝缘物层一起作为填充所述沟槽的沟槽绝缘物层；

在形成所述第二抗穿通区域之后，所述方法还包括：

去除所述沟槽绝缘物层的一部分以露出所述半导体鳍片的一部分，使得所述半导体鳍片的被露出部分达到目标高度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

在去除所述沟槽绝缘物层一部分之后，所述第一抗穿通区域和所述第二抗穿通区域分别低于所述沟槽绝缘物层的剩余部分的上表面。