[发明专利]一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法

权利要求书

1.一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，包括：

1)提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，

2)生长牺牲层，并在所述牺牲层上形成外延薄层；

3)重复步骤2)至形成多个上述牺牲层与外延薄层；

4)将受体衬底和最外一层的外延薄层进行键合，并使用离子注入在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，并将键合结构剥离得到含有受体衬底的柔性基底，剥离键合结构后残留的部分为第一基底；

5)去除第一基底表面的牺牲层，并对去除牺牲层后的第一基底采用步骤4)的方法逐层剥离外延薄层，得到多个含有外延薄层和受体基底的柔性基底和残余有牺牲层的供体衬底；

所述半导体供体衬底为CdZnTe衬底或CdTe衬底；

所述牺牲层为含汞化合物；

所述外延薄层为CdZnTe或CdTe。

2.根据权利要求1所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述半导体供体衬底为步骤5)去除残余牺牲层的供体衬底。

3.根据权利要求1或2所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于，含有外延薄层和受体基底的柔性基底经表面处理去除牺牲层，并在其表面进行碲镉汞红外探测器件的生长。

4.根据权利要求1或2所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述的离子注入深度大于最表层外延薄层的厚度，小于最表层外延薄层的厚度与最表层牺牲层厚度的总和。

5.根据权利要求3所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：在柔性基底上外延生长的碲镉汞红外探测器为异质结、量子阱或者超晶格结构。

6.根据权利要求3所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述的在柔性基底上外延生长的碲镉汞红外探测器具有n-p、p-n、n-p-n或p-n-p多色结构。

7.根据权利要求1所述碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：外延生长方法为分子束外延、化学气相沉积或液相外延方法。