[发明专利]低阻抗接触窗插塞的形成方法

权利要求书

1.一种低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，包含：

形成一第一接触窗开口与一第二接触窗开口，以分别显露出一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区；

形成一罩幕层，该罩幕层包含分别在该第一接触窗开口和该第二接触窗开口中的一第一部分和一第二部分；

分别形成一第一牺牲层间介电层和一第二牺牲层间介电层于该第一接触窗开口和该第二接触窗开口中；

从该第一接触窗开口中移除该第一牺牲层间介电层；

填充一填充材至该第一接触窗开口中；

蚀刻该第二牺牲层间介电层，其中该填充材保护该罩幕层的该第一部分，以避免被蚀刻；

形成一层间介电层于该第二接触窗开口中并于该罩幕层的该第二部分上；

使用湿式蚀刻移除该填充材与该罩幕层的该第一部分，以显露出该第一接触窗开口；以及

形成一接触窗插塞于该第一接触窗开口中。

2.根据权利要求1所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，形成该罩幕层的操作包含沉积氧化铝层。

3.根据权利要求2所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，该罩幕层的该第一部分是使用丁氧基乙醇、羟胺、二乙烯三胺五乙酸以及水的一混合物来移除。

4.根据权利要求2所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，形成该罩幕层的操作更包含形成氮化硅层于该氧化铝层上方。

5.根据权利要求1所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，该填充材包含硅。

6.根据权利要求1所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，填入该填充材至该第一接触窗开口中的操作包含：

填入该填充材至该第一接触窗开口和该第二接触窗开口中；以及

自该第二接触窗开口中移除该填充材，以暴露出该罩幕层的该第二部分，其中该填充材存留于该第一接触窗开口中。

7.根据权利要求1所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，更包含：

形成一金属栅极电极于该第一接触窗开口和该第二接触窗开口之间；

凹陷该金属栅极电极，以形成一凹陷；以及

将一硬式罩幕填入该凹陷中。

8.根据权利要求1所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，更包含于形成该接触窗插塞于该第一接触窗开口中之前，形成一介电接触窗间隙壁于该第一接触窗开口中。

9.一种低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，包含：

形成一罩幕层，其中该罩幕层包含：

一第一部分，延伸至一第一虚拟栅极堆叠和一第二虚拟栅极堆叠之不相邻的两侧外的一第一空间；及

一第二部分，延伸至该第一虚拟栅极堆叠和该第二虚拟栅极堆叠之相邻的两侧间的一第二空间；

填入一牺牲层间介电层于该罩幕层上方，其中该牺牲层间介电层包含：填入至该第一空间的一第一部分，及填入至该第二空间的一第二部分；

移除该牺牲层间介电层的该第一部分和该第二部分，以显露出该罩幕层的该第一部分和该第二部分；

填入一层间介电层至该第一空间；填入一填充材至该第二空间；

移除该填充材，以显露出该罩幕层的该第二部分；

移除该罩幕层的该第二部分；以及

形成一接触窗插塞于该第二空间中。

10.根据权利要求9所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，于该罩幕层的该第二部分移除后，该罩幕层的一第一栅极间隙壁与位于相对侧的一第二栅极间隙壁的侧壁暴露出来，且该第一栅极间隙壁和该第二栅极间隙壁分别位于该第一虚拟栅极堆 叠和该第二虚拟栅极堆叠的侧壁上。

11.根据权利要求9所述的低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，形成该罩幕层的操作包含沉积氧化铝层。