[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，形成至源极/漏极区的第一接触件，并且在第一接触件上方形成介电层。形成开口以暴露第一接触件，并且用介电材料衬垫开口。第二接触件形成为通过介电材料与第一接触件电接触。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在衬底上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体产业通过最小特征尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的区域中集成更多的组件。然而，随着最小特征尺寸减小，出现了应该解决的额外的问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至源极/漏极区的第一接触件，所述源极/漏极区邻近第一间隔件的至少一部分并且与所述第一间隔件的所述至少一部分齐平，所述第一间隔件邻近栅电极；在所述栅电极上方形成介电层；图案化所述介电层以形成穿过所述介电层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一接触件；用介电材料衬垫所述第一开口的侧壁；以及用导电材料填充所述第一开口的剩余部分以形成第二接触件，所述第二接触件延伸穿过所述介电材料以与所述第一接触件接触。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方的半导体鳍上方形成栅叠件和第一间隔件；去除所述半导体鳍的由所述栅叠件和所述第一间隔件暴露的部分；再生长源极/漏极区；形成至所述源极/漏极区的第一接触件，所述第一接触件具有顶面，所述顶面位于离所述衬底的距离等于或小于所述第一间隔件的顶面的位置处；在所述第一接触件和所述栅叠件上方沉积介电层；形成穿过所述介电层的第一开口以暴露所述第一接触件；沿着所述第一开口的侧壁沉积介电材料，其中，至少部分地使用原子层沉积工艺来完成沉积所述介电材料；沿着所述第一开口的底部去除所述介电材料的部分以形成第二开口；以及用导电材料填充所述第一开口和所述第二开口以与所述第一接触件接触。

根据本发明的又一方面，提供了一种半导体器件，包括：源极/漏极区，邻近第一间隔件，所述第一间隔件邻近栅电极；第一接触件，与所述源极/漏极区物理连接，所述第一接触件与所述第一间隔件齐平；介电层，位于所述栅电极上方；开口，穿过所述介电层，所述开口暴露所述第一接触件；介电材料，衬垫所述开口的侧壁，所述介电材料包括多个单层；以及导电材料，填充所述开口的剩余部分并且通过所述介电材料与所述第一接触件物理接触，所述导电材料与所述介电材料共享平坦的顶面。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据一些实施例形成finFET器件的工艺中的步骤。

图2A至图2B示出根据一些实施例形成源极/漏极区。

图3示出根据一些实施例形成第一开口。

图4示出根据一些实施例形成第一接触件。

图5示出根据一些实施例在第一介电层中形成第二开口。

图6A至图6C示出根据一些实施例沉积第二介电层。

图7示出根据一些实施例形成第二接触件。

图8A至图8C示出根据一些实施例调整接触件。

图9A至图9C示出根据一些实施例形成缝隙。