[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成至源极/漏极区的第一接触件，所述源极/漏极区邻近第一间隔件的至少一部分并且与所述第一间隔件的所述至少一部分齐平，所述第一间隔件邻近栅电极；

在所述栅电极上方形成介电层；

图案化所述介电层以形成穿过所述介电层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一接触件；

用介电材料衬垫所述第一开口的侧壁；以及

用导电材料填充所述第一开口的剩余部分以形成第二接触件，所述第二接触件延伸穿过所述介电材料以与所述第一接触件接触。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在衬垫所述第一开口的所述侧壁之后图案化所述介电材料以暴露所述第一接触件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，衬垫所述第一开口的所述侧壁包括至少部分地实施原子层沉积工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料具有大于0.5nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接触件在第一界面处接触所述第一接触件，并且在所述第一界面处，所述第一接触件具有第一宽度，并且所述第二接触件具有小于所述第一宽度的第二宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极位于半导体鳍上方。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在形成至所述源极/漏极区的所述第一接触件之前，去除所述半导体鳍的部分；以及

在形成至所述源极/漏极区的所述第一接触件之前，再生长所述源极/漏极区。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方的半导体鳍上方形成栅叠件和第一间隔件；

去除所述半导体鳍的由所述栅叠件和所述第一间隔件暴露的部分；

再生长源极/漏极区；

形成至所述源极/漏极区的第一接触件，所述第一接触件具有顶面，所述顶面位于离所述衬底的距离等于或小于所述第一间隔件的顶面的位置处；

在所述第一接触件和所述栅叠件上方沉积介电层；

形成穿过所述介电层的第一开口以暴露所述第一接触件；

沿着所述第一开口的侧壁沉积介电材料，其中，至少部分地使用原子层沉积工艺来完成沉积所述介电材料；

沿着所述第一开口的底部去除所述介电材料的部分以形成第二开口；以及

用导电材料填充所述第一开口和所述第二开口以与所述第一接触件接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述介电材料的侧壁延伸到所述第一接触件中。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积所述介电材料将所述介电材料沉积至大于0.5nm的厚度。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，填充所述第一开口和所述第二开口还包括：

过填充所述第一开口和所述第二开口；以及

平坦化所述导电材料以去除所述导电材料的位于所述第一开口和所述第二开口外部的部分。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：在沉积所述介电材料之前，在所述第一接触件和所述栅叠件上方沉积接触蚀刻停止层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在去除所述介电材料的所述部分之后并且在填充所述第一开口和所述第二开口之前，去除所述接触蚀刻停止层的部分。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积所述介电材料还包括：

将第一前体脉冲化成与所述第一开口的所述侧壁接触；

清除所述第一前体；以及

在清除所述第一前体之后，使第二前体脉冲化成沿着所述第一开口的侧壁与所述第一前体的产物接触。