[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

半导体芯片，其具有电极焊盘；以及

导电性导线，其包括与所述电极焊盘电连接的导线连接部，

所述半导体芯片具有：

下层布线，其形成于所述电极焊盘的下层；

第一绝缘膜，其覆盖所述下层布线；

导体连接部，其配置于所述下层布线上方，并且被埋入形成于所述第一绝缘膜的第一开口部，且与所述下层布线电连接；以及

第二绝缘膜，其覆盖所述电极焊盘的一部分，且形成有规定所述电极焊盘的露出部的第二开口部，

所述电极焊盘和所述导体连接部形成为一体，

所述第二开口部具有沿着相邻的两个边中的一边的第一虚拟线与沿着另一边的第二虚拟线交叉的交点、位于与所述交点相距所述导线连接部的俯视时的半径的距离处的所述第一虚拟线上的第一点、以及位于与所述交点相距所述半径的距离处的所述第二虚拟线上的第二点，还具有由连结所述交点与所述第一点的第一线段、连结所述交点与所述第二点的第二线段、以及连结所述第一点与所述第二点且朝向所述交点成为凸状的圆弧构成的第一区域，

所述导线连接部与所述电极焊盘的所述第二开口部中的与所述第一区域不同的第二区域连接，

形成于所述导体连接部正上方的所述电极焊盘的表面的凹部的一部分在俯视时与所述第一区域重叠，

所述凹部的其他部分在俯视时与所述第二绝缘膜重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述导体连接部在俯视时跨过所述第一区域、和所述第一区域的外侧的形成有所述第二绝缘膜的绝缘膜区域而配置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述导体连接部在俯视时配置于所述第一区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述导电性导线包括以铜为主成分的材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述电极焊盘包括以铜为主成分的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述电极焊盘包括以铝为主成分的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述电极焊盘与所述导线连接部之间配置有钯层、金层或镍层中的至少一个合金层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述凹部的深度为0.5μm以上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视下，所述第一开口部与所述第二开口部重叠。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二绝缘膜配置于所述第一绝缘膜的表面上方。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视下，所述凹部位于所述第二开口部。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视下，所述凹部整体位于所述导电性导线的所述导线连接部的外侧。