[发明专利]一种表征铸锭长晶界面的方法有效
| 申请号： | 201710458233.X | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107247077B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王双丽;游达;黄春来 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表征 铸锭 界面 方法 | ||
1.一种表征铸锭长晶界面的方法，其特征在于，包括步骤：
沿铸锭的长晶方向开方，得到若干小方锭；
将若干小方锭按照在所述铸锭中的位置排序，并建立平面直角坐标系，定位每个小方锭在坐标系中的坐标位置；
检测每个小方锭的特定的电阻率的高度；
根据所述特定电阻率的高度及在坐标系中的坐标位置建立特定电阻率在铸锭中的高度位置的数据矩阵；
根据所述数据矩阵表征铸锭平行于长晶方向的任一横截面的长晶界面形状，或表征铸锭的同一电阻率的二维或三维界面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测每个小方锭的特定电阻率的高度的步骤包括：
测量每个小方锭四个侧面的中心线及四条棱边上的特定电阻率的高度，其中相邻两个小方锭的相重叠的中心线及相重叠的棱边上的特定电阻率的高度均取平均值。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述特定电阻率的高度及在坐标系中的坐标位置建立特定电阻率在铸锭中的高度位置的数据矩阵的步骤包括：
根据特定电阻率的高度及在坐标系中的坐标位置建立高度位置的数据矩阵；
利用插值法或取平均值法将所述数据矩阵补充完整。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用数据处理软件表征铸锭平行于长晶方向的任一横截面的长晶界面形状，或表征铸锭的同一电阻率的二维或三维界面。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别依据小方锭在X和Y方向上的块数设定所述平面直角坐标系的X及Y坐标值。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用四探针法测量所述电阻率。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿铸锭的长晶方向开方，得到的若干小方锭的步骤包括：将铸锭开方成5×5、6×6或7×7块小方锭。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铸锭的尾部电阻率小于2.8Ω·cm，头部电阻率大于0.5Ω·cm；所述特定电阻率为一个或多个，其范围为0.6Ω·cm～2.7Ω·cm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铸锭为铸造多晶硅锭。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铸锭为铸造单晶硅锭。
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