[发明专利]像素补偿电路及显示装置有效
| 申请号： | 201710438513.4 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109036284B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周兴雨 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 臧云霄;夏彬 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 补偿 电路 显示装置 | ||
1.一种像素补偿电路，其特征在于，包括：
第一晶体管(M1)，其用于响应于一第一扫描信号(Sn)对一第一节点(N1)和一第二节点(N2)之间的电流路径的导通状态进行切换；
第四晶体管(M4)，其用于响应于所述第二节点(N2)处的电压信号对所述第一节点(N1)和一第三节点(N3)之间的电流路径的导通状态进行切换；
第七晶体管(M7)，其用于响应于一使能信号(En)对所述第三节点(N3)和一第四节点(N4)之间的电流路径的导通状态进行切换；
一电容器(Cst)，其耦接于一电源正极电压信号(ELVDD)和所述第二节点(N2)之间；以及
一发光二极管(XD)，其阳极耦接所述第四节点(N4)，阴极耦接一电源负极(ELVSS)；
所述第一节点(N1)输入所述电源正极电压信号(ELVDD)，所述第二节点(N2)输入一初始化信号(Vin)，所述第三节点(N3)输入一数据信号(dl)；
所述电路还包括：
第八晶体管(M8)，其用于响应于所述使能信号(En)对所述电源正极电压信号(ELVDD)和所述第一节点(N1)之间的电流路径进行切换；
第三晶体管(M3)，其用于响应于一第二扫描信号(Sn-1)对所述第二节点(N2)和所述初始化信号(Vin)之间的电流路径的导通状态进行切换；
第二晶体管(M2)，其用于响应于所述第一扫描信号(Sn)对所述第三节点(N3)和所述数据信号(dl)之间的电流路径的导通状态进行切换。
2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管(M1)、所述第四晶体管(M4)和第七晶体管(M7)均为PMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，还包括：
第五晶体管(M5)，其用于响应于所述第二扫描信号(Sn-1)对所述第三晶体管(M3)和所述初始化信号(Vin)之间的电流路径的导通状态进行切换。
4.根据权利要求3所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第三晶体管(M3)和第五晶体管(M5)均为PMOS管。
5.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第二晶体管(M2)为PMOS管。
6.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，还包括：
第六晶体管(M6)，其用于响应于一第三扫描信号(Sn-2)对所述初始化信号(Vin)与所述第四节点(N4)之间的电流路径的导通状态进行切换。
7.根据权利要求6所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第六晶体管(M6)和所述第八晶体管(M8)均为PMOS晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的像素补偿电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710438513.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
