[发明专利]一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器在审

专利信息
申请号: 201710426047.8 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN106992429A 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 张鸿博;樊仲维;赵水;许东晖;马有瑄 申请(专利权)人: 中科和光(天津)应用激光技术研究所有限公司
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/06;H01S5/024
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 代理人: 张峻
地址: 300300 天津市东丽区华明*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 紧凑 高效率 级联 倍频 激光器
【权利要求书】:

1.一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:包括:依次设置的近红外半导体激光器(2)、光束整形透镜组(4)、级联倍频装置、准直镜(11)和二色镜(12);

所述近红外半导体激光器(2)的发射端发出的光线依次穿过光束整形透镜组(4)、级联倍频装置、准直镜(11)和二色镜(12);

所述级联倍频装置包括多个倍频装置(5),多个倍频装置(5)依次设于光束整形透镜组(4)与准直镜(11)之间;

所述准直镜(11)的两面均镀有近红外激光高透膜和倍频激光高透膜;

所述二色镜(12)的轴线与入射光线呈45°角设置,二色镜(12)的两面均镀有45°角近红外激光高反膜和45°角倍频激光高透膜,二色镜(12)的一侧设有光线收集器(13);

所述光线收集器(13)的接收端正对于二色镜(12)的反射光。

2.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述近红外半导体激光器(2)为近红外边发射半导体激光器、垂直腔面发射半导体激光器或光纤耦合输出的近红外半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述近红外半导体激光器(2)电连接第一温度控制器(1),所述第一温度控制器(1)通过控温热沉(3)对近红外半导体激光器(2)进行温度控制。

4.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述光束整形透镜组(4)包括非球面透镜(41)和柱透镜(42),所述非球面透镜(41)设于近红外半导体激光器(2)与柱透镜(42)之间。

5.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述倍频装置(5)包括一个聚焦镜(51)和一个倍频晶体(54),所述聚焦镜(51)设于倍频晶体(54)靠近光束整形透镜组(4)的一侧,近红外半导体激光器(2)发出的光线最先穿过的聚焦镜(51)的两面均镀有近红外激光高透膜,其余聚焦镜(51)的两面均镀有近红外激光高透膜和倍频激光高透膜。

6.根据权利要求5所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述倍频晶体(54)设有多个,每个倍频晶体(54)电连接一个第二温度控制器(53),所述第二温度控制器(53)通过控温热沉(3)对倍频晶体(54)进行温度控制。

7.根据权利要求3所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述第一温度控制器(1)包括TEC半导体制冷片(7),所述第二温度控制器(53)为TEC温控装置,所述TEC温控装置包括两个TEC半导体制冷片(7),两个TEC半导体制冷片(7)分别设于倍频晶体(54)相对的两侧,TEC半导体制冷片(7)靠近倍频晶体(54)的一侧无缝贴合有控温热沉(3);

或者,所述第一温度控制器(1)包括TEC半导体制冷片(7),所述第二温度控制器(53)为温控炉装置,所述温控炉装置包括合金金属丝(10),所述合金金属丝(10)缠绕在两个控温热沉(3)上,两个控温热沉(3)之间设有倍频晶体(54)。

8.根据权利要求3或7所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述第一温度控制器(1)和第二温度控制器(53)的温度控制精度均大于0.1℃。

9.根据权利要求5所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述聚焦镜(51)为消色差聚焦镜。

10.根据权利要求5所述的一种结构紧凑的高效率级联倍频激光器,其特征在于:所述倍频晶体(54)为角度匹配的临界相位匹配晶体时,临界相位匹配晶体以走离补偿方式设置。

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