[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201710402039.X | 申请日: | 2017-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN107452774B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 南承熙;金正五;方政镐;白正善;李锺源 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;谭天 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
具有有源区和焊盘区的基板;
设置在所述基板的所述有源区上的薄膜晶体管;
平坦化层,所述平坦化层设置在所述有源区上而不在所述焊盘区上;
通过像素连接电极电连接至所述薄膜晶体管的第一电极,所述像素连接电极构造成经由穿过所述平坦化层的像素接触孔而与所述薄膜晶体管接触并且与所述第一电极直接接触;
堤部,所述堤部和所述像素连接电极设置为使得所述平坦化层的上表面的一部分露出;以及
第二电极,所述第二电极设置在所述平坦化层的所述上表面上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
保护层,所述保护层设置在所述平坦化层下方以在所述保护层对应于所述平坦化层的区域中与所述平坦化层交叠;
设置在所述第一电极上的发光层;
设置在所述基板的所述焊盘区上的焊盘电极;以及
焊盘盖电极,所述焊盘盖电极构造成直接接触所述焊盘电极的侧表面,或者直接接触所述焊盘电极的上表面和侧表面二者,
其中所述平坦化层在所述平坦化层对应于所述第一电极的区域中与所述第一电极交叠,以及
所述第二电极设置在所述发光层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述像素连接电极被设置成覆盖所述第一电极,以及
其中所述像素连接电极由与所述第一电极的透明导电层相同的透明导电层形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述焊盘盖电极构造成直接接触所述焊盘电极的侧表面,或者直接接触所述焊盘电极的上表面和侧表面二者,并且所述焊盘盖电极设置成覆盖所述焊盘电极的所述上表面和所述侧表面,使得所述焊盘电极不向外露出。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述像素连接电极设置成露出所述第一电极,
其中所述像素连接电极由不透明导电层形成,并且
其中所述第一电极由透明导电层形成。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
所述焊盘盖电极构造成直接接触所述焊盘电极的侧表面,或者直接接触所述焊盘电极的上表面和侧表面二者;
设置在所述焊盘盖电极上的焊盘保护层;以及
焊盘接触孔,其穿过所述焊盘保护层和所述焊盘盖电极以露出所述焊盘电极的所述上表面的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述堤部设置在所述第一电极上的所述堤部与所述像素连接电极交叠的区域中,所述堤部由与所述焊盘保护层的材料相同的材料形成。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述焊盘电极包括:
第一焊盘电极,所述第一焊盘电极由与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料形成并且设置在与所述栅电极的层相同的层上;以及
第二焊盘电极,所述第二焊盘电极由与所述薄膜晶体管的漏电极和源电极中至少之一的材料相同的材料形成并且设置在与源电极和漏电极中至少之一的层相同的层上。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置,还包括滤色器,所述滤色器设置在所述滤色器对应于所述第一电极和所述薄膜晶体管的区域中,
其中对应于所述薄膜晶体管的所述滤色器以单层或多层形成。
10.一种制造显示装置的方法,包括:
形成设置在基板的有源区上的薄膜晶体管;
在所述基板的所述有源区上但不在焊盘区上形成平坦化层,以及同时形成设置在所述平坦化层上的并电连接至所述薄膜晶体管的第一电极;
形成经由穿过所述平坦化层的像素接触孔而与所述薄膜晶体管接触并且与所述第一电极直接接触的像素连接电极,并且同时形成堤部,所述堤部和所述像素连接电极设置成使所述平坦化层的上表面的一部分露出;以及
形成设置在所述平坦化层的所述上表面上第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





