[发明专利]一种钽酸锂基片黑化方法在审
| 申请号： | 201710372449.4 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107099847A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 叶竹之;陆旺;李辉;蒲波;雷晗 | 申请（专利权）人： | 成都泰美克晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610017 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂基片黑化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于包括以下步骤：
S01：钽酸锂基片通过C粉或石墨粉埋覆在石英槽或耐高温金属槽中；
S02：在低真空度还原炉内，通入带水蒸气的，还原反应炉温度控制在450-500℃，恒温3~10h；
S03：与C粉发生反应生成、CO与钽酸锂基片进行还原反应，尾气处理后排放；
S04：还原反应结束后取出钽酸锂基片。
2.根据权利要求1所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的步骤S02中的水蒸气的比例是30%~60%。
3.根据权利要求2所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的的水蒸气的比例是53%。
4.根据权利要求2所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的的水蒸气的比例是43%。
5.根据权利要求1所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的步骤S02中是流量为（0.5-1.5）L/min。
6.根据权利要求5所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的是流量为1L/min。
7.根据权利要求1所述的一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于：所述的步骤S01中C粉或石墨粉将钽酸锂基片完全覆盖。
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